Найдено компонентов: 27
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
NP83P06PDG-E1-AYRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-83 А, Qg=190 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0088 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
UPA2757GR-E1-ATRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=5 А, Qg=10 нКл, PD=2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 8pin-SOP-8 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу