Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
MRSC252A10-1R5T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 30%, 0.085Ом, 2.2А (аналог CDH25D09HF-1R5NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.12Ом, 1.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-4R7T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 30%, 0.25Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-100T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 10мкГн, 30%, 0.65Ом, 0.64А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-220T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 22мкГн, 30%, 1.3Ом, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.028Ом, 3700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.078Ом, 2200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.168Ом, 1500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.065Ом, 2500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-8N2J-SM — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 8.2нГн, 5%, Q=8, 0.3Ом, 300мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-9N1J-SM — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 9.1нГн, 5%, Q=8, 0.35Ом, 300мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-3N9S-SM — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 3.9нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.2Ом, 400мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-2N7S-SM — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 2.7нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.15Ом, 400мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1005T-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*5.4мм, 4.7мкГн, 20%, 0,04Ом, 2.6А (аналог SDR1006-4R7ML) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
PS1008-6R8M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 3.81*3.81*3.05мм, 6.8мкГн, 20%, 0.58Ом, 0.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI160808A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.054Ом, 2600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI160808A-R33M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.33мкГн, 20%, 0.075Ом, 2200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI160808A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.1Ом, 1600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201208A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.025Ом, 4200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201208A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.048Ом, 3000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEIL322525A-4R7M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 3.2*2.5*2.5мм, 4.7мкГн, 20%, 0.1Ом, 2200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу |