Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
NL252018T-120K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 12мкГн, 10%, Q=15, 3.8Ом, 550мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-R82K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 0.82мкГн, 10%, Q=30, 1Ом, 800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-1R2J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 1.2мкГн, 5%, Q=25, 1.2Ом, 790мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-1R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 1.2мкГн, 10%, Q=25, 1.2Ом, 790мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-1R5J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 1.5мкГн, 5%, Q=25, 1.3Ом, 750мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-1R5K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 1.5мкГн, 10%, Q=25, 1.3Ом, 750мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-1R8J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 1.8мкГн, 5%, Q=25, 1.45Ом, 750мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-R47J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 0.47мкГн, 5%, Q=30, 0.68Ом, 800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-R56J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 0.56мкГн, 5%, Q=30, 0.75Ом, 800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-R56K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 0.56мкГн, 10%, Q=30, 0.75Ом, 800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
FWSMDPI-332K — Ferriwo Силовая индуктивность 18.03*15.5*12.0мм, 3300мкГн, 20%, 4Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
FWSMRH127-103M — Ferriwo Силовая индуктивность 12*12*7.7мм, 10мГн, 20%, 15Ом, 0.33А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
FWSMRH127-333M — Ferriwo Силовая индуктивность 12*12*7.7мм, 33мГн, 20%, 50Ом, 0.18А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
FWSMRH127-683M — Ferriwo Силовая индуктивность 12*12*7.7мм, 68мГн, 20%, 110Ом, 0.09А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D18HP-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А (аналог CDRH2D18/HPNP-2R2NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-8R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 10%, Q=40, 1.8Ом, 550мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 10мкГн, 20%, 1Ом, 0.54А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-100T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 10мкГн, 30%, 1Ом, 0.54А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-150M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 15мкГн, 20%, 1.5Ом, 0.39А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-150T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 15мкГн, 30%, 1.5Ом, 0.39А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-1R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1мкГн, 20%, 0.095Ом, 1.86А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS505020-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.035Ом, 3.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS505020-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.035Ом, 3.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS505020-1R0T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 1мкГн, 30%, 0.021Ом, 4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS505020-1R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 1.2мкГн, 30%, 0.021Ом, 3.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |