Найдено компонентов: 6409
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
BPSC000808454R7M00CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.3*8.3*4.5мм, 4.7мкГн, 20%, 0.022Ом, 5.6А (аналог 744071047, SWRH8D43C-4R7NT , B1135AS-4R7N)
Со склада
2 шт.
18,86
SCDS74T-150M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.5мм, 15мкГн, 20%, 0.081Ом, 1.47А (аналог CDRH74-150M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.06Ом, 2.2А (аналог NRS5030T4R7MMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-2R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 2мкГн, 30%, 7.4А, 0.011Ом (аналог NR8040T2R0*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVM202012-4R7M-NTCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 20%, 0.21Ом, 1.3А (аналог NRS2012T4R7MGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 4.7мкГн, 20%, 5.5А, 0.018Ом (аналог NR8040T4R7*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-100M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 10мкГн, 20%, 3.8А, 0.038Ом (аналог NR8040T100M)
По запросу
под заказ
13,24
LVM202012-2R2M-NTCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.095Ом, 2А (аналог NRS2012T2R2MGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.03Ом, 3.3А (аналог NRS5030T2R2NMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-100M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 10мкГн, 20%, 0.125Ом, 1.6А (аналог NRS5030T100MMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-150M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 15мкГн, 20%, 3.2А, 0.05Ом (аналог NR8040T150M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1608T-6N8J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 6.8нГн, 5%, 0.6А, Q=10, 0.22Ом (аналог ELJ-RE6N8J*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1608T-3N3S-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 3.3нГн, ±0.3нГн, 0.6А, Q=10, 0.12Ом (аналог ELJ-RE3N3D*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS2D18HP-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.2*3.2*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А (аналог CDRH2D18/HPNP-2R2NC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-68NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 68нГн, 5%, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-47NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 47нГн, 5%, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-56NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 56нГн, 5%, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-68NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 68нГн, 5%, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-82NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 82нГн, 5%, 0.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-91NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 91нГн, 5%, 0.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-R10J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 100нГн, 5%, 0.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS8D43T-330M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.3*8.3*4.5мм, 33мкГн, 20%, 0.08Ом, 2.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS127T-221M-N-N0.95ACHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность (двухобмоточная) 12.5*12.5*8.0мм, 220мкГн, 20%, 0.95А (аналог 49221C)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-43NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 43нГн, 5%, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-39NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 39нГн, 5%, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу