Найдено компонентов: 6393
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
CT0805-R15K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 150нГн, 10%, Q=40, 0.8Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-R18K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 180нГн, 10%, Q=40, 0.9Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-R22K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 220нГн, 10%, Q=40, 0.98Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-R27K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 270нГн, 10%, Q=40, 1.3Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-R33K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 330нГн, 10%, Q=40, 1.45Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-R39K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 390нГн, 10%, Q=35, 1.6Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-R47K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 470нГн, 10%, Q=25, 1.8Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-R56K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 560нГн, 10%, Q=18, 1.9Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-R62K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 620нГн, 10%, Q=18, 2Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-R68K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 680нГн, 10%, Q=18, 2.1Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-R75K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 750нГн, 10%, Q=18, 2.2Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-R82K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 820нГн, 10%, Q=18, 2.5Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-1R0K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1000нГн, 10%, Q=17, 3.1Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CT0805-10NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 10нГн, 5%, Q=55, 0.08Ом, 800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS404018-3R3M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 4.0*4.0*1.8мм, 3.3мкГн, 20%, 0.07Ом, 2.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCB12050-R47M-C1CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.0013Ом, 38А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.028Ом, 3700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.078Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.168Ом, 1500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.065Ом, 2500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-1R5M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.085Ом, 2.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу