Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
SQV453226T-102K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1812, 1000мкГн, 10%, Q=40, 25Ом, 50мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SQV322520T-R47M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 0.47мкГн, 20%, Q=20, 0.06Ом, 1100мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SQV322520T-R82M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 0.82мкГн, 20%, Q=20, 0.25Ом, 450мА (аналог LQH32MNR82M21*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SSL1306T-221M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 18.54*15.24*7.11мм, 220мкГн, 20%, 0.38Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SSL1306T-330M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 18.54*15.24*7.11мм, 33мкГн, 20%, 0.066Ом, 3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SSL1306T-331M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 18.54*15.24*7.11мм, 330мкГн, 20%, 0.56Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SSL1306T-470M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 18.54*15.24*7.11мм, 47мкГн, 20%, 0.087Ом, 2.6А (аналог CDR156-470LC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SSL1306T-6R8M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 18.54*15.24*7.11мм, 6.8мкГн, 20%, 0.022Ом, 10А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
TFL0603T-0N6B-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0201, 0.6нГн, ±0.1нГн, Q=12, 0.1Ом, 450мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252012T-R47T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.47мкГн, 30%, 0.04Ом, 1.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252012T-1R5M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 1.5мкГн, 20%, 0.07Ом, 1.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-3R3T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 3.3мкГн, 30%, 0.12Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-4R7M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.14Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-4R7T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 30%, 0.14Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-6R8M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 6.8мкГн, 20%, 0.18Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-6R8T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 6.8мкГн, 30%, 0.18Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252012T-R47M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.47мкГн, 20%, 0.04Ом, 1.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-1R5T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 30%, 0.07Ом, 1.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-1R0M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-1R0T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 30%, 0.06Ом, 1.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-2R2M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.1Ом, 1.2А (аналог LQM2HPN2R2MJ0*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-2R2T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.1Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-3R3M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 3.3мкГн, 20%, 0.12Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-3R3T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 3.3мкГн, 30%, 0.17Ом, 0.85А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-4R7M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.21Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |