Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
LD1008-2R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 2.2мкГн, 10%, 0.155Ом, 950мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1004T-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*4.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.024Ом, 4А (аналог CDH104N-4R7M) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-8N2S-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 8.2нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.3Ом, 300мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS606045-151M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 6.0*6.0*4.5мм, 150мкГн, 20%, 1Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.028Ом, 3700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.078Ом, 2200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.168Ом, 1500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
FEDRH74R-680M — Ferriwo Силовая индуктивность 7.5*7.5*4.5мм, 68мкГн, 20%, 0.38Ом, 0.69А (аналог CDRH74NP-680M) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SQV322520T-R10T-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 0.1мкГн, 30%, Q=20, 0.025Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPE201610T-1R5T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1.5мкГн, 30%, 0.1Ом, 1.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPE201610T-2R2T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.21Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPE252010T-R24M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.024Ом, 4.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPE252010T-R47M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.04Ом, 3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPE252010T-1R0M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.05Ом, 1.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPE252010T-2R2M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.11Ом, 1.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0705T-101M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 100мкГн, 20%, 0.43Ом, 0.72А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0705T-102M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 1000мкГн, 20%, 2.8Ом, 0.19А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0705T-102K-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 1000мкГн, 10%, 2.8Ом, 0.19А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1006T-220K-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*6.5мм, 22мкГн, 10%, 0.08Ом, 3.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1006T-220M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*6.5мм, 22мкГн, 20%, 0.08Ом, 3.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0703T-470M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*3.5мм, 47мкГн, 20%, 0.25Ом, 0.68А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0705T-4R7K-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 4.7мкГн, 10%, 0.04Ом, 3.5А (аналог SDR0805-4R7M) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0705T-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 10мкГн, 20%, 0.07Ом, 2.3А (аналог SDR0805-100M) | По запросу | под заказ | Цена по запросу |