Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
CL201209T-R56K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.56мкГн, 10%, Q=25, 0.75Ом, 150мА (аналог LQM21NNR56K10*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R27L-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.27мкГн, 15% Q=25, 0.5Ом, 250мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R27M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.27мкГн, 20% Q=25, 0.5Ом, 250мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R33K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.33мкГн, 10%, Q=25, 0.55Ом, 250мА (аналог LQM21NNR33K10*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R33L-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.33мкГн, 15% Q=25, 0.55Ом, 250мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R33M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.33мкГн, 20% Q=25, 0.55Ом, 250мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R39K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.39мкГн, 10%, Q=25, 0.65Ом, 250мА (аналог LQM21NNR39K10*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1006T-102M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*6.5мм, 1000мкГн, 20%, 2.9Ом, 0.6А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1006T-122K-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*6.5мм, 1200мкГн, 10%, 3.5Ом, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1006T-122M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*6.5мм, 1200мкГн, 20%, 3.5Ом, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1006T-202K-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*6.5мм, 2000мкГн, 10%, 6.6Ом, 0.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1006T-202M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*6.5мм, 2000мкГн, 20%, 6.6Ом, 0.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1006T-471K-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*6.5мм, 470мкГн, 10%, 1.421Ом, 0.82А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D14T-1R8T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.55мм, 1.8мкГн, 30%, 0.075Ом, 1.65А (аналог CDRH2D14NP-1R8NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D14T-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.55мм, 2.2мкГн, 30%, 0.094Ом, 1.5А (аналог CDRH2D14NP-2R2NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D14T-2R7T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.55мм, 2.7мкГн, 30%, 0.106Ом, 1.35А (аналог CDRH2D14NP-2R7NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D14T-3R3T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.55мм, 3.3мкГн, 30%, 0.125Ом, 1.2А (аналог CDRH2D14NP-3R3NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D14T-3R9T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.55мм, 3.9мкГн, 30%, 0.138Ом, 1.1А (аналог CDRH2D14NP-3R9NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D14T-4R1M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.55мм, 4.1мкГн, 20%, 0.169Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D11T-6R8T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.2мм, 6.8мкГн, 30%, 0.26Ом, 0.44А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D14T-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.55мм, 10мкГн, 20%, 0.294Ом, 0.7А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D14T-100T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.55мм, 10мкГн, 30%, 0.294Ом, 0.7А (аналог CDRH2D14NP-100NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D14T-120M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.55мм, 12мкГн, 20%, 0.394Ом, 0.62А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D14T-120T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.55мм, 12мкГн, 30%, 0.394Ом, 0.62А (аналог CDRH2D14NP-120NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D14T-1R5T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.55мм, 1.5мкГн, 30%, 0.063Ом, 1.8А (аналог CDRH2D14NP-1R5NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу |