Найдено компонентов: 6393
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
HEI252012A-1R5M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 1.5мкГн, 20%, 0.066Ом, 2700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252012A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.083Ом, 2500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252012A-4R7M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 20%, 0.215Ом, 1500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI322510A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.016Ом, 6000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252010A-R68M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.04Ом, 3700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252010A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.053Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252010A-1R5M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.075Ом, 2400мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252010A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.097Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252012A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.24мкГн, 20%, 0.015Ом, 6200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252012A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.33мкГн, 20%, 0.018Ом, 5800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCB12050-1R5M-C1CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 1.5мкГн, 20%
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCB12050-100M-C1CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 10мкГн, 20%
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LD1008-2R7K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 2.7мкГн, 10%, 0.19Ом, 800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LD1008-3R3K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 3.3мкГн, 10%, 0.21Ом, 750мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LD1008-3R9K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 3.9мкГн, 10%, 0.22Ом, 700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LD1008-4R7K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 10%, 0.435Ом, 650мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LD1008-5R8K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 5.8мкГн, 10%, 0.28Ом, 550мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LD1008-6R8K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 6.8мкГн, 10%, 0.315Ом, 500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-100J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 10мкГн, 5%, Q=16, 2.9Ом, 610мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-120J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 12мкГн, 5%, Q=16, 3.05Ом, 540мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-150J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 15мкГн, 5%, Q=16, 3.45Ом, 500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-180J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 18мкГн, 5%, Q=16, 4.79Ом, 420мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-220J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 22мкГн, 5%, Q=16, 5.2Ом, 350мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-3R3J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 3.3мкГн, 5%, Q=20, 1.2Ом, 970мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-3R9J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 3.9мкГн, 5%, Q=20, 1.35Ом, 910мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу