Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
LVH201B10H-R68M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.68мкГн, 20%, 0.092Ом, 1.8А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVH201B10H-1R0T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1мкГн, 30%, 0.11Ом, 1.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.028Ом, 3700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.078Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.168Ом, 1500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.065Ом, 2500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-R10T-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 0.1мкГн, 30%, Q=20, 0.025Ом, 700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB160805T-R47T-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 0.47мкГн, 30%, 0.15Ом, 1.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SFS100875T-R22K-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*8.0*7.3мм, 0.22мкГн, 10%, 0.00029Ом, 56А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SFS100875T-R27K-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*8.0*7.3мм, 0.27мкГн, 10%, 0.00029Ом, 56А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SFS100875T-R30K-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*8.0*7.3мм, 0.3мкГн, 10%, 0.00029Ом, 56А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SFS100875T-R40L-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*8.0*7.3мм, 0.4мкГн, 10%, 0.00029Ом, 56А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HPPC10040-3R3M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*11.3*3.8мм, 3.3мкГн, 20%, 0.0079Ом, 12А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HPPC10040-4R7M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*11.3*3.8мм, 4.7мкГн, 20%, 0.0105Ом, 10.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HPPC10040-6R8M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*11.3*3.8мм, 6.8мкГн, 20%, 0.0165Ом, 8.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HPPC10040-100M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*11.3*3.8мм, 10мкГн, 20%, 0.024Ом, 8А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SFS100875T-R15K-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*8.0*7.3мм, 0.15мкГн, 10%, 0.00029Ом, 56А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SFS100875T-R17K-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*8.0*7.3мм, 0.17мкГн, 10%, 0.00029Ом, 56А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HPPC10040-R22M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*11.3*3.8мм, 0.22мкГн, 20%, 0.00054Ом, 40А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HPPC10040-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*11.3*3.8мм, 0.33мкГн, 20%, 0.00068Ом, 32А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HPPC10040-R56M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.2*11.3*3.8мм, 0.56мкГн, 20%, 0.0012Ом, 28А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу