Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
HEI201610A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.065Ом, 2500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
PS1008-6R8M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.81*3.81*3.05мм, 6.8мкГн, 20%, 0.58Ом, 0.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.054Ом, 2600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.33мкГн, 20%, 0.075Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.1Ом, 1600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201208A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.025Ом, 4200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201208A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.048Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252010T-2R2M-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.08Ом, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252010T-2R2T-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.08Ом, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252010T-3R3M-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 3.3мкГн, 20%, 0.1Ом, 0.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB201610T-3R3M-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 3.3мкГн, 20%, 0.12Ом, 0.35А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB201610T-3R3T-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 3.3мкГн, 30%, 0.12Ом, 0.35А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB201610T-4R7M-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.14Ом, 0.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB201610T-4R7T-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 4.7мкГн, 30%, 0.21Ом, 0.8А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252010T-1R0M-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 30%, 0.055Ом, 0.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252010T-1R0T-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.055Ом, 0.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB201610T-R47M-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB201610T-R47T-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 30%, 0.06Ом, 1.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB201610T-1R0M-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.085Ом, 0.85А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB201610T-1R0T-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 30%, 0.085Ом, 0.85А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB201610T-2R2M-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.11Ом, 0.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB201610T-2R2T-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.11Ом, 0.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу