Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
HEI252012A-R33M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.33мкГн, 20%, 0.018Ом, 5800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252012A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.47мкГн, 20%, 0.033Ом, 3800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252012A-R68M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.68мкГн, 20%, 0.036Ом, 3800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252012A-1R5M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 1.5мкГн, 20%, 0.066Ом, 2700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252012A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.083Ом, 2500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252010A-R33M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.024Ом, 4800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252010A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.035Ом, 3900мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252010A-R68M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.04Ом, 3700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252010A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.053Ом, 3000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252010A-1R5M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.075Ом, 2400мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252010A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.097Ом, 2200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LD1008-1R9K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 1.9мкГн, 10%, 0.14Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LD1008-2R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 2.2мкГн, 10%, 0.155Ом, 950мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LD1008-2R7K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 2.7мкГн, 10%, 0.19Ом, 800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LD1008-3R3K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3.3мкГн, 10%, 0.21Ом, 750мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LD1008-3R9K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3.9мкГн, 10%, 0.22Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LD1008-4R7K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 10%, 0.435Ом, 650мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LT1210-220J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 22мкГн, 5%, Q=16, 5.2Ом, 350мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LT1210-6R8J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 6.8мкГн, 5%, Q=20, 1.68Ом, 750мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LT1210-8R2J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 8.2мкГн, 5%, Q=16, 1.88Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LT1210-100J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 10мкГн, 5%, Q=16, 2.9Ом, 610мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LT1210-120J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 12мкГн, 5%, Q=16, 3.05Ом, 540мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LT1210-150J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 15мкГн, 5%, Q=16, 3.45Ом, 500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LT1210-180J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 18мкГн, 5%, Q=16, 4.79Ом, 420мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LT1210-2R2J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1210, 2.2мкГн, 5%, Q=20, 1.02Ом, 1020мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу |