Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
MPB201610T-4R7M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.21Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-4R7M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 4.7мкГн, 20%, 0.26Ом, 0.7А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-4R7T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 4.7мкГн, 30%, 0.26Ом, 0.7А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-R47M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-R47T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 30%, 0.06Ом, 1.6А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-1R5M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.11Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-1R5T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1.5мкГн, 30%, 0.11Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-1R0M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 20%, 0.12Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-1R0T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 30%, 0.12Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-2R2M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 20%, 0.19Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-2R2T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 30%, 0.19Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-3R3M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 3.3мкГн, 20%, 0.24Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-3R3T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 3.3мкГн, 30%, 0.24Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201205T-1R0M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 20%, 0.16Ом, 0.9А (аналог LQM21PN1R0MC0*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201205T-1R0T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 30%, 0.16Ом, 0.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-R47M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.47мкГн, 20%, 0.09Ом, 1.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-R47T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.47мкГн, 30%, 0.09Ом, 1.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-1R5M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 20%, 0.15Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-1R5T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 30%, 0.15Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201205T-R47M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.47мкГн, 20%, 0.11Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201205T-1R5T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 30%, 0.18Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS74T-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.5мм, 4.7мкГн, 20%, 0.035Ом, 3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS74T-560M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.5мм, 56мкГн, 20%, 0.35Ом, 0.75А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS74T-561K-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.5мм, 560мкГн, 10%, 3.62Ом, 0.23А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS74T-561M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.5мм, 560мкГн, 20%, 3.62Ом, 0.23А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |