Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
HEI252012A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.47мкГн, 20%, 0.033Ом, 3800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252012A-R68M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.68мкГн, 20%, 0.036Ом, 3800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-1R5M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.085Ом, 2300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252010A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.018Ом, 5500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252010A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.024Ом, 4800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252010A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.035Ом, 3900мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252010A-R68M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.04Ом, 3700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252010A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.053Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.03Ом, 3700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-1R5M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.112Ом, 1800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201608A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*0.8мм, 1мкГн, 20%, 0.087Ом, 2300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201608A-1R5M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*0.8мм, 1.5мкГн, 20%, 0.115Ом, 2100мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.023Ом, 4700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R68M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.056Ом, 2700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CPUN1009T-R56M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 0.56мкГн, 20%, 0.002Ом, 26А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CPUN1009T-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 1мкГн, 20%, 0.003Ом, 21А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CPUN1009T-2R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 2мкГн, 20%, 0.0057Ом, 26А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CPUN1009T-3R3M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 3.3мкГн, 20%, 0.0115Ом, 16А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CPUN1009T-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 4.7мкГн, 20%, 0.0115Ом, 11А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CPUN1009T-6R8M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 6.8мкГн, 20%, 0.026Ом, 7А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLV322522T-820K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*2.2мм, 82мкГн, 10%, 10Ом, 45мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLV322522T-101K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*2.2мм, 100мкГн, 10%, 10Ом, 40мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLV322522T-121K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*2.2мм, 120мкГн, 10%, 11Ом, 70мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLV322522T-151K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*2.2мм, 150мкГн, 10%, 15Ом, 65мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLV322522T-181K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*2.2мм, 180мкГн, 10%, 17Ом, 60мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу