Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
LVT303012-R47M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.0*3.0*1.2мм, 0.47мкГн, 20%, 0.032Ом, 4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT303012-R47T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.0*3.0*1.2мм, 0.47мкГн, 30%, 0.032Ом, 4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCB06030-1R0M-C1CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.6*7.3*3.0мм, 1мкГн, 20%, 0.01Ом, 11А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT252A12-R47T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.47мкГн, 30%, 0.027Ом, 3.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT303010-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.0*3.0*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.063Ом, 2.3А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT303010-1R0T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.0*3.0*1.0мм, 1мкГн, 30%, 0.063Ом, 2.3А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT303010-3R3M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.0*3.0*1.0мм, 3.3мкГн, 20%, 0.165Ом, 1.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT303010-3R3T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.0*3.0*1.0мм, 3.3мкГн, 30%, 0.165Ом, 1.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT303012-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.0*3.0*1.2мм, 1мкГн, 20%, 0.06Ом, 3А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT252A10-3R3T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 3.3мкГн, 30%, 0.22Ом, 1.12А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT252A10-6R8M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 6.8мкГн, 20%, 0.435Ом, 0.78А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT252A10-6R8T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 6.8мкГн, 30%, 0.435Ом, 0.78А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT252A10-R68M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.05Ом, 2.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT252A10-R68T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.68мкГн, 30%, 0.05Ом, 2.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVT252A12-R47M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.47мкГн, 20%, 0.027Ом, 3.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS1008-R10J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 100нГн, 5%, Q=60, 0.56Ом, 650мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS1008-R10K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 100нГн, 10%, Q=60, 0.56Ом, 650мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS1008-R12G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 120нГн, 2%, Q=60, 0.63Ом, 650мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS1008-R12J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 120нГн, 5%, Q=60, 0.63Ом, 650мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS1008-R12K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 120нГн, 10%, Q=60, 0.63Ом, 650мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS1008-R15G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 150нГн, 2%, Q=45, 0.7Ом, 580мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVC201B10-150T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 15мкГн, 30%, 1.5Ом, 0.39А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVC201B10-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1мкГн, 20%, 0.095Ом, 1.86А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LS1008-6R8K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 6.8мкГн, 10%, Q=33, 1.6Ом, 600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LS1008-8R2J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 5%, Q=40, 1.8Ом, 550мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу