Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
SCD03021T-180M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.5*3.0*2.1мм, 18мкГн, 20%, 0.48Ом, 0.54А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD03021T-181M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.5*3.0*2.1мм, 180мкГн, 20%, 5.1Ом, 0.17А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD03021T-1R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.5*3.0*2.1мм, 1мкГн, 20%, 0.07Ом, 2.08А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD03021T-1R4M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.5*3.0*2.1мм, 1.4мкГн, 20%, 0.09Ом, 1.86А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD03021T-1R5M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.5*3.0*2.1мм, 1.5мкГн, 20%, 0.11Ом, 1.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD03021T-101M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.5*3.0*2.1мм, 100мкГн, 20%, 2.52Ом, 0.25А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MHCB12050-1R5M-C1 — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 1.5мкГн, 20% | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MHCB12050-100M-C1 — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 10мкГн, 20% | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
PS1008-6R8M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 3.81*3.81*3.05мм, 6.8мкГн, 20%, 0.58Ом, 0.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI160808A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.054Ом, 2600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI160808A-R33M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.33мкГн, 20%, 0.075Ом, 2200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI160808A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.1Ом, 1600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201208A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.025Ом, 4200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201208A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.048Ом, 3000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPE201210T-R24M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.03Ом, 2.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-2R2M-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.08Ом, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-2R2T-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.08Ом, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-3R3M-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 3.3мкГн, 20%, 0.1Ом, 0.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-3R3T-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 3.3мкГн, 30%, 0.1Ом, 0.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-4R7M-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.11Ом, 0.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB252010T-4R7T-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 30%, 0.11Ом, 0.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-3R3M-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 3.3мкГн, 20%, 0.12Ом, 0.35А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-3R3T-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 3.3мкГн, 30%, 0.12Ом, 0.35А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-4R7M-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.14Ом, 0.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-4R7T-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 4.7мкГн, 30%, 0.21Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |