Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
MRSC252A10-220T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 22мкГн, 30%, 1.3Ом, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-100T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 10мкГн, 30%, 0.65Ом, 0.64А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-4R7T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 30%, 0.25Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.12Ом, 1.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-1R5T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 30%, 0.085Ом, 2.2А (аналог CDH25D09HF-1R5NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-220M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 22мкГн, 20%, 1.3Ом, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 10мкГн, 20%, 0.65Ом, 0.64А (аналог CDH25D09HF-100MC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.25Ом, 1.2А (аналог CDH25D09HF-4R7MC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.12Ом, 1.9А (аналог CDH25D09HF-2R2MC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MRSC252A10-1R5M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.085Ом, 2.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MHCB06030-100M-C1 — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 6.6*7.3*3.0мм, 10мкГн, 20%, 0.102Ом, 3А | По запросу | под заказ | 20,94₽ | |
HEI201210A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.028Ом, 3700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.078Ом, 2200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.168Ом, 1500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.065Ом, 2500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF252A12-6R8T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 6.8мкГн, 30%, 0.3Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF252A12-R50M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.5мкГн, 20%, 0.028Ом, 3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF252A12-R50T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.5мкГн, 30%, 0.028Ом, 3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF303010-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.0*3.0*1.0мм, 10мкГн, 20%, 0.43Ом, 0.63А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF303010-100T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.0*3.0*1.0мм, 10мкГн, 30%, 0.43Ом, 0.63А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF303010-150M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.0*3.0*1.0мм, 15мкГн, 20%, 0.625Ом, 0.55А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |