Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
LVH252A10H-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 4.7мкГн, 20%, 0.33Ом, 0.85А (аналог LQH2HPN4R7MG0*/ LQH2HPN4R7MGR*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12H-R47T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.47мкГн, 30%, 0.031Ом, 3.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12H-R47M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.47мкГн, 20%, 0.031Ом, 3.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12H-R68T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 0.68мкГн, 30%, 0.031Ом, 3.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-R47M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 0.47мкГн, 20%, 0.043Ом, 2.7А (аналог LQH2HPNR47MGR*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-R68T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 0.68мкГн, 30%, 0.062Ом, 2.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-R68M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 0.68мкГн, 20%, 0.062Ом, 2.3А (аналог LQH2HPNR68MGR*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-1R0T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 1мкГн, 30%, 0.08Ом, 1.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-1R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 1мкГн, 20%, 0.08Ом, 1.9А (аналог LQH2HPN1R0MGR*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 2.2мкГн, 30%, 0.135Ом, 1.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-5R6J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 5.6мкГн, 5%, Q=36, 1.45Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-5R6K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 5.6мкГн, 10%, Q=36, 1.45Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-6R8J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 6.8мкГн, 5%, Q=33, 1.6Ом, 600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-6R8K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 6.8мкГн, 10%, Q=33, 1.6Ом, 600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-8R2J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 5%, Q=40, 1.8Ом, 550мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-8R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 10%, Q=40, 1.8Ом, 550мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS505020-1R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 1.2мкГн, 30%, 0.021Ом, 3.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS505020-1R5M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.026Ом, 3.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS404026-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 4.7мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS404026-4R7T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 4.7мкГн, 30%, 0.06Ом, 1.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS505020-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 10мкГн, 20%, 0.12Ом, 1.6А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS505020-100T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 10мкГн, 30%, 0.12Ом, 1.6А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS505020-150M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 15мкГн, 20%, 0.19Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS505020-1R0T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 1мкГн, 30%, 0.021Ом, 4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS404026-1R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 1.2мкГн, 20%, 0.03Ом, 3.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |