Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
HEI201610A-1R5M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.085Ом, 2300мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252010A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.018Ом, 5500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252010A-R33M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.024Ом, 4800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252010A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.035Ом, 3900мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252010A-R68M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.04Ом, 3700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI252010A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.053Ом, 3000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-R33M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.03Ом, 3700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-1R5M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.112Ом, 1800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201608A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*0.8мм, 1мкГн, 20%, 0.087Ом, 2300мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201608A-1R5M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*0.8мм, 1.5мкГн, 20%, 0.115Ом, 2100мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-R33M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.023Ом, 4700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-R68M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.056Ом, 2700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-1R0M-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.085Ом, 0.85А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-1R0T-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 30%, 0.085Ом, 0.85А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-2R2M-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.11Ом, 0.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-2R2T-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.11Ом, 0.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-3R3M-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 3.3мкГн, 20%, 0.12Ом, 0.35А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-3R3T-NA6 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 3.3мкГн, 30%, 0.12Ом, 0.35А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0705T-102K-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 1000мкГн, 10%, 2.8Ом, 0.19А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1006T-220K-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*6.5мм, 22мкГн, 10%, 0.08Ом, 3.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1006T-220M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*6.5мм, 22мкГн, 20%, 0.08Ом, 3.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0705T-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 10мкГн, 20%, 0.07Ом, 2.3А (аналог SDR0805-100M) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0705T-150M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 15мкГн, 20%, 0.09Ом, 1.8А (аналог SR0805-150MLB) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0705T-270K-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 27мкГн, 10%, 0.12Ом, 1.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD0705T-470K-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 47мкГн, 10%, 0.18Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |