Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
LS1008-8R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 10%, Q=40, 1.8Ом, 550мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 10мкГн, 20%, 1Ом, 0.54А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-3R3K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3.3мкГн, 10%, Q=58, 1.15Ом, 900мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-3R9J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3.9мкГн, 5%, Q=37, 1.25Ом, 850мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-3R9K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3.9мкГн, 10%, Q=37, 1.25Ом, 850мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-4R7J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 5%, Q=37, 1.35Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-4R7K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 10%, Q=37, 1.35Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-5R6J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 5.6мкГн, 5%, Q=36, 1.45Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D11T-150M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.2мм, 15мкГн, 20%, 0.6Ом, 0.25А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D11T-150T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.2мм, 15мкГн, 30%, 0.6Ом, 0.25А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D11T-1R5T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.2мм, 1.5мкГн, 30%, 0.068Ом, 0.9А (аналог CDRH2D11NP-1R5NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D11T-220M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.2мм, 22мкГн, 20%, 0.95Ом, 0.16А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D11T-220T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.2мм, 22мкГн, 30%, 0.95Ом, 0.16А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D11T-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*1.2мм, 2.2мкГн, 30%, 0.098Ом, 0.78А (аналог CDRH2D11NP-2R2NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS4D18T-6R3T-S-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.7*4.7*2.0мм, 6.3мкГн, 30%, 0.18Ом, 0.78А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS4D18T-6R8M-S-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.7*4.7*2.0мм, 6.8мкГн, 20%, 0.2Ом, 0.76А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS4D18T-3R9T-S-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.7*4.7*2.0мм, 3.9мкГн, 30%, 0.155Ом, 0.88А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS4D18T-470T-S-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.7*4.7*2.0мм, 47мкГн, 30%, 0.95Ом, 0.28А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS4D18T-4R7T-S-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.7*4.7*2.0мм, 4.7мкГн, 30%, 0.162Ом, 0.84А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS4D18T-560T-S-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.7*4.7*2.0мм, 56мкГн, 30%, 1.08Ом, 0.26А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS4D18T-5R6T-S-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.7*4.7*2.0мм, 5.6мкГн, 30%, 0.17Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS4D18T-680T-S-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.7*4.7*2.0мм, 68мкГн, 30%, 1.3Ом, 0.24А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS4D18T-2R2T-S-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.7*4.7*2.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.075Ом, 1.32А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS4D18T-2R7T-S-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.7*4.7*2.0мм, 2.7мкГн, 30%, 0.105Ом, 1.28А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS4D18T-330T-S-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.7*4.7*2.0мм, 33мкГн, 30%, 0.694Ом, 0.32А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |