Микросхемы и полупроводниковые компоненты

Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
FII40-06DIXYS
IGBT DISCRETEDisc IGBT XPT-GenX3 I4-PAK ISOPLUS
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
571,68
От 10 шт. 552,76
От 50 шт. 533,83
IGBT модуль; конфигурация: полумост; 1200В; 63А; 1.85В; корпус SMPD
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
1 034,27
От 10 шт. 1 000,02
От 50 шт. 965,77
T0160NB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 160 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,173 K/W; ток диода - 130 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,073 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
49 549,06
От 10 шт. 47 908,37
От 50 шт. 46 267,67
T0240NB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 240 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 1,25 J. Тепловое сопротивление: 0,055 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
51 780,11
От 10 шт. 50 065,54
От 50 шт. 48 350,96
T0258HF65GIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 258 А. Корпус: W95. Встроенный диод. 0,0567 K/W; ток диода - 300 А. Энергия выключения: 1,45 J. Тепловое сопротивление: 0,0328 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0340VB45GIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 340 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0576 K/W; ток диода - 400 А. Энергия выключения: 2,1 J. Тепловое сопротивление: 0,0365 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
87 042,12
От 10 шт. 84 159,94
От 50 шт. 81 277,74
T0360NB25AIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
63 724,15
От 10 шт. 61 614,08
От 50 шт. 59 504,02
T0360ND25AIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 360 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,073 K/W; ток диода - 320 А. Энергия выключения: 0,66 J. Тепловое сопротивление: 0,0541 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0385HF65EIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 385 А. Корпус: W95. Энергия выключения: 2,18 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0500NB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
65 684,46
От 10 шт. 63 509,47
От 50 шт. 61 334,50
T0500ND25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 500 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 0,92 J. Тепловое сопротивление: 0,0386 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0510VB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 510 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 3,15 J. Тепловое сопротивление: 0,0243 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
95 105,92
От 10 шт. 91 956,72
От 50 шт. 88 807,51
T0570VB25GIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
99 811,43
От 10 шт. 96 506,42
От 50 шт. 93 201,41
T0570VD25GIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 570 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0365 K/W; ток диода - 340 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,0338 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0600AF65GIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W98. Встроенный диод. 0,0243 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 3,38 J. Тепловое сопротивление: 0,0141 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0600TB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W41. Встроенный диод. 0,0432 K/W; ток диода - 530 А. Энергия выключения: 3,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
133 870,72
От 10 шт. 129 437,90
От 50 шт. 125 005,10
T0800EB45GIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0246 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
184 056,29
От 10 шт. 177 961,70
От 50 шт. 171 867,13
T0800TB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W41. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
142 341,92
От 10 шт. 137 628,62
От 50 шт. 132 915,31
T0850VB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
103 586,26
От 10 шт. 100 156,25
От 50 шт. 96 726,24
T0850VD25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 850 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 1,58 J. Тепловое сопротивление: 0,0225 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0900AF65EIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W98. Энергия выключения: 5,08 J. Тепловое сопротивление: 0,0094 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0900DF65AIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W96. Встроенный диод. 0,0155 K/W; ток диода - 950 А. Энергия выключения: 5,08 J. Тепловое сопротивление: 0,0094 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0900EB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0288 K/W; ток диода - 800 А. Энергия выключения: 5,3 J. Тепловое сопротивление: 0,0146 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
199 469,27
От 10 шт. 192 864,32
От 50 шт. 186 259,37
T1200EB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1200 А. Корпус: W44. Энергия выключения: 6,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0104 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
216 161,77
От 10 шт. 209 004,10
От 50 шт. 201 846,42
T1200TB25AIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
184 773,50
От 10 шт. 178 655,17
От 50 шт. 172 536,85