Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
IXA40PG1200DHGLB — IXYS IGBT модуль; конфигурация: полумост; 1200В; 63А; 1.85В; корпус SMPD | 12 дней 1 0 | 60 шт. 1 0 | 1 468,27 От 2 шт. 1 400,18 | 1 0 |
FII40-06D — IXYS MOSFET DISCRETE DiscMSFT NChSuprJuncMultiChp i4-Pac | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 723,80 От 10 шт. 699,84 От 50 шт. 675,86 | |
T0160NB45A — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 160 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,173 K/W; ток диода - 130 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,073 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 62 761,25 От 10 шт. 60 683,08 От 50 шт. 58 604,88 | |
T0240NB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 240 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 1,25 J. Тепловое сопротивление: 0,055 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 65 587,21 От 10 шт. 63 415,45 От 50 шт. 61 243,69 | |
T0340VB45G — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 340 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0576 K/W; ток диода - 400 А. Энергия выключения: 2,1 J. Тепловое сопротивление: 0,0365 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 110 251,80 От 10 шт. 106 601,08 От 50 шт. 102 950,35 | |
T0360NB25A — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 80 716,13 От 10 шт. 78 043,42 От 50 шт. 75 370,69 | |
T0500NB25E — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 83 199,13 От 10 шт. 80 444,20 От 50 шт. 77 689,26 | |
T0510VB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 510 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 3,15 J. Тепловое сопротивление: 0,0243 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 120 465,79 От 10 шт. 116 476,87 От 50 шт. 112 487,93 | |
T0570VB25G — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 126 426,02 От 10 шт. 122 239,74 От 50 шт. 118 053,44 | |
T0600TB45A — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W41. Встроенный диод. 0,0432 K/W; ток диода - 530 А. Энергия выключения: 3,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 169 567,18 От 10 шт. 163 952,36 От 50 шт. 158 337,56 | |
T0800TB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W41. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 180 297,23 От 10 шт. 174 327,12 От 50 шт. 168 357,01 | |
T0800EB45G — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0246 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 233 134,67 От 10 шт. 225 414,97 От 50 шт. 217 695,29 | |
T0850VB25E — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 131 207,40 От 10 шт. 126 862,79 От 50 шт. 122 518,16 | |
T0900EB45A — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0288 K/W; ток диода - 800 А. Энергия выключения: 5,3 J. Тепловое сопротивление: 0,0146 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 252 657,50 От 10 шт. 244 291,36 От 50 шт. 235 925,21 | |
T1200EB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1200 А. Корпус: W44. Энергия выключения: 6,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0104 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 273 801,05 От 10 шт. 264 734,78 От 50 шт. 255 668,52 | |
T1200TB25A — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 234 043,13 От 10 шт. 226 293,36 От 50 шт. 218 543,59 | |
T1500TB25E — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 235 698,47 От 10 шт. 227 893,90 От 50 шт. 220 089,30 | |
T1600GB45G — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1600 А. Корпус: W45. Встроенный диод. 0,0123 K/W; ток диода - 1380 А. Энергия выключения: 8,7 J. Тепловое сопротивление: 0,0078 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 413 220,86 От 10 шт. 399 538,04 От 50 шт. 385 855,24 | |
T1800GB45A — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1800 А. Корпус: W45. Встроенный диод. 0,0144 K/W; ток диода - 1600 А. Энергия выключения: 10,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0073 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 446 927,87 От 10 шт. 432 128,93 От 50 шт. 417 330,00 | |
T2250AB25E — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 345 069,84 От 10 шт. 333 643,69 От 50 шт. 322 217,53 | |
T2400GB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 2400 А. Корпус: W45. Энергия выключения: 13 J. Тепловое сопротивление: 0,0052 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 495 044,94 От 10 шт. 478 652,72 От 50 шт. 462 260,51 | |
T0360ND25A — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 360 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,073 K/W; ток диода - 320 А. Энергия выключения: 0,66 J. Тепловое сопротивление: 0,0541 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0500ND25E — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 500 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 0,92 J. Тепловое сопротивление: 0,0386 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0570VD25G — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 570 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0365 K/W; ток диода - 340 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,0338 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0850VD25E — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 850 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 1,58 J. Тепловое сопротивление: 0,0225 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу |