Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
T0360ND25A — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 360 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,073 K/W; ток диода - 320 А. Энергия выключения: 0,66 J. Тепловое сопротивление: 0,0541 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0500ND25E — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 500 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 0,92 J. Тепловое сопротивление: 0,0386 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0570VD25G — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 570 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0365 K/W; ток диода - 340 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,0338 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0850VD25E — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 850 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 1,58 J. Тепловое сопротивление: 0,0225 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T1200TD25A — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1200 А. Корпус: W41. Встроенный диод. 0,0292 K/W; ток диода - 800 А. Энергия выключения: 2,1 J. Тепловое сопротивление: 0,0169 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T1500TD25E — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1500 А. Корпус: W41. Энергия выключения: 2,76 J. Тепловое сопротивление: 0,0129 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T2250AD25E — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 2250 А. Корпус: W71. Энергия выключения: 4,2 J. Тепловое сопротивление: 0,0085 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0385HF65E — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 385 А. Корпус: W95. Энергия выключения: 2,18 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0600AF65G — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W98. Встроенный диод. 0,0243 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 3,38 J. Тепловое сопротивление: 0,0141 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0900AF65E — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W98. Энергия выключения: 5,08 J. Тепловое сопротивление: 0,0094 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
FII40-06D — IXYS IGBT DISCRETEDisc IGBT XPT-GenX3 I4-PAK ISOPLUS | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 563,51 От 10 шт. 544,85 От 50 шт. 526,19 | |
T0258HF65G — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 258 А. Корпус: W95. Встроенный диод. 0,0567 K/W; ток диода - 300 А. Энергия выключения: 1,45 J. Тепловое сопротивление: 0,0328 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
IXA40PG1200DHGLB — IXYS IGBT модуль; конфигурация: полумост; 1200В; 63А; 1.85В; корпус SMPD | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 1 019,47 От 10 шт. 985,70 От 50 шт. 951,95 | |
T0900DF65A — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W96. Встроенный диод. 0,0155 K/W; ток диода - 950 А. Энергия выключения: 5,08 J. Тепловое сопротивление: 0,0094 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T1290BF65A — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1290 А. Корпус: W103. Встроенный диод. 0,0122 K/W; ток диода - 1400 А. Энергия выключения: 7,3 J. Тепловое сопротивление: 0,0066 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T1375DF65E — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1375 А. Корпус: W96. Энергия выключения: 7,7 J. Тепловое сопротивление: 0,0062 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T1890BF65E — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1890 А. Корпус: W103. Энергия выключения: 10,6 J. Тепловое сопротивление: 0,0045 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0160NB45A — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 160 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,173 K/W; ток диода - 130 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,073 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 48 839,88 От 10 шт. 47 222,66 От 50 шт. 45 605,45 | |
T0240NB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 240 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 1,25 J. Тепловое сопротивление: 0,055 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 51 039,00 От 10 шт. 49 348,97 От 50 шт. 47 658,94 | |
T0340VB45G — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 340 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0576 K/W; ток диода - 400 А. Энергия выключения: 2,1 J. Тепловое сопротивление: 0,0365 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 85 796,32 От 10 шт. 82 955,38 От 50 шт. 80 114,45 | |
T0510VB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 510 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 3,15 J. Тепловое сопротивление: 0,0243 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 93 744,70 От 10 шт. 90 640,57 От 50 шт. 87 536,44 | |
T0600TB45A — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W41. Встроенный диод. 0,0432 K/W; ток диода - 530 А. Энергия выключения: 3,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 131 954,66 От 10 шт. 127 585,31 От 50 шт. 123 215,95 | |
T0800TB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W41. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 140 304,64 От 10 шт. 135 658,79 От 50 шт. 131 012,94 | |
T0800EB45G — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0246 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 181 421,95 От 10 шт. 175 414,60 От 50 шт. 169 407,25 | |
T0900EB45A — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0288 K/W; ток диода - 800 А. Энергия выключения: 5,3 J. Тепловое сопротивление: 0,0146 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 196 614,32 От 10 шт. 190 103,92 От 50 шт. 183 593,51 |