Найдено компонентов: 37
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
IGBT модуль; конфигурация: полумост; 1200В; 63А; 1.85В; корпус SMPD
12 дней
1 0
60 шт.
1 0
1 468,27
От 2 шт. 1 400,18
1 0
FII40-06DIXYS
MOSFET DISCRETE DiscMSFT NChSuprJuncMultiChp i4-Pac
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
723,80
От 10 шт. 699,84
От 50 шт. 675,86
T0160NB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 160 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,173 K/W; ток диода - 130 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,073 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
62 761,25
От 10 шт. 60 683,08
От 50 шт. 58 604,88
T0240NB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 240 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 1,25 J. Тепловое сопротивление: 0,055 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
65 587,21
От 10 шт. 63 415,45
От 50 шт. 61 243,69
T0340VB45GIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 340 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0576 K/W; ток диода - 400 А. Энергия выключения: 2,1 J. Тепловое сопротивление: 0,0365 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
110 251,80
От 10 шт. 106 601,08
От 50 шт. 102 950,35
T0360NB25AIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
80 716,13
От 10 шт. 78 043,42
От 50 шт. 75 370,69
T0500NB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
83 199,13
От 10 шт. 80 444,20
От 50 шт. 77 689,26
T0510VB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 510 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 3,15 J. Тепловое сопротивление: 0,0243 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
120 465,79
От 10 шт. 116 476,87
От 50 шт. 112 487,93
T0570VB25GIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
126 426,02
От 10 шт. 122 239,74
От 50 шт. 118 053,44
T0600TB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W41. Встроенный диод. 0,0432 K/W; ток диода - 530 А. Энергия выключения: 3,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
169 567,18
От 10 шт. 163 952,36
От 50 шт. 158 337,56
T0800TB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W41. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
180 297,23
От 10 шт. 174 327,12
От 50 шт. 168 357,01
T0800EB45GIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0246 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
233 134,67
От 10 шт. 225 414,97
От 50 шт. 217 695,29
T0850VB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
131 207,40
От 10 шт. 126 862,79
От 50 шт. 122 518,16
T0900EB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0288 K/W; ток диода - 800 А. Энергия выключения: 5,3 J. Тепловое сопротивление: 0,0146 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
252 657,50
От 10 шт. 244 291,36
От 50 шт. 235 925,21
T1200EB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1200 А. Корпус: W44. Энергия выключения: 6,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0104 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
273 801,05
От 10 шт. 264 734,78
От 50 шт. 255 668,52
T1200TB25AIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
234 043,13
От 10 шт. 226 293,36
От 50 шт. 218 543,59
T1500TB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
235 698,47
От 10 шт. 227 893,90
От 50 шт. 220 089,30
T1600GB45GIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1600 А. Корпус: W45. Встроенный диод. 0,0123 K/W; ток диода - 1380 А. Энергия выключения: 8,7 J. Тепловое сопротивление: 0,0078 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
413 220,86
От 10 шт. 399 538,04
От 50 шт. 385 855,24
T1800GB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1800 А. Корпус: W45. Встроенный диод. 0,0144 K/W; ток диода - 1600 А. Энергия выключения: 10,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0073 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
446 927,87
От 10 шт. 432 128,93
От 50 шт. 417 330,00
T2250AB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
345 069,84
От 10 шт. 333 643,69
От 50 шт. 322 217,53
T2400GB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 2400 А. Корпус: W45. Энергия выключения: 13 J. Тепловое сопротивление: 0,0052 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
495 044,94
От 10 шт. 478 652,72
От 50 шт. 462 260,51
T0360ND25AIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 360 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,073 K/W; ток диода - 320 А. Энергия выключения: 0,66 J. Тепловое сопротивление: 0,0541 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0500ND25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 500 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 0,92 J. Тепловое сопротивление: 0,0386 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0570VD25GIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 570 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0365 K/W; ток диода - 340 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,0338 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0850VD25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 850 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 1,58 J. Тепловое сопротивление: 0,0225 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу