Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
FII40-06DIXYS
IGBT модуль; Конфигурация: полумост; 600В; 40А; 1,8В; Корпус: i4-PAC
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
685,22
От 10 шт. 662,53
От 50 шт. 639,84
IGBT модуль; конфигурация: полумост; 1200В; 63А; 1.85В; корпус SMPD
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
1 045,18
От 10 шт. 1 010,57
От 50 шт. 975,96
T0160NB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 160 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,173 K/W; ток диода - 130 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,073 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
50 071,44
От 10 шт. 48 413,45
От 50 шт. 46 755,46
T0240NB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 240 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 1,25 J. Тепловое сопротивление: 0,055 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
52 326,02
От 10 шт. 50 593,37
От 50 шт. 48 860,72
T0258HF65GIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 258 А. Корпус: W95. Встроенный диод. 0,0567 K/W; ток диода - 300 А. Энергия выключения: 1,45 J. Тепловое сопротивление: 0,0328 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0340VB45GIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 340 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0576 K/W; ток диода - 400 А. Энергия выключения: 2,1 J. Тепловое сопротивление: 0,0365 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
87 959,80
От 10 шт. 85 047,22
От 50 шт. 82 134,64
T0360NB25AIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
64 395,98
От 10 шт. 62 263,68
От 50 шт. 60 131,35
T0360ND25AIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 360 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,073 K/W; ток диода - 320 А. Энергия выключения: 0,66 J. Тепловое сопротивление: 0,0541 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0385HF65EIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 385 А. Корпус: W95. Энергия выключения: 2,18 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0500NB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
66 376,96
От 10 шт. 64 179,05
От 50 шт. 61 981,14
T0500ND25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 500 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 0,92 J. Тепловое сопротивление: 0,0386 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0510VB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 510 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 3,15 J. Тепловое сопротивление: 0,0243 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
96 108,60
От 10 шт. 92 926,20
От 50 шт. 89 743,80
T0570VB25GIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
100 863,73
От 10 шт. 97 523,87
От 50 шт. 94 184,00
T0570VD25GIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 570 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0365 K/W; ток диода - 340 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,0338 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0600AF65GIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W98. Встроенный диод. 0,0243 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 3,38 J. Тепловое сопротивление: 0,0141 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0600TB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W41. Встроенный диод. 0,0432 K/W; ток диода - 530 А. Энергия выключения: 3,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
135 282,08
От 10 шт. 130 802,54
От 50 шт. 126 323,02
T0800EB45GIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0246 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
185 996,76
От 10 шт. 179 837,93
От 50 шт. 173 679,10
T0800TB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W41. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
143 842,61
От 10 шт. 139 079,62
От 50 шт. 134 316,61
T0850VB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
104 678,34
От 10 шт. 101 212,18
От 50 шт. 97 746,00
T0850VD25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 850 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 1,58 J. Тепловое сопротивление: 0,0225 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0900AF65EIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W98. Энергия выключения: 5,08 J. Тепловое сопротивление: 0,0094 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0900DF65AIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W96. Встроенный диод. 0,0155 K/W; ток диода - 950 А. Энергия выключения: 5,08 J. Тепловое сопротивление: 0,0094 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0900EB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0288 K/W; ток диода - 800 А. Энергия выключения: 5,3 J. Тепловое сопротивление: 0,0146 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
201 572,23
От 10 шт. 194 897,65
От 50 шт. 188 223,07
T1200EB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1200 А. Корпус: W44. Энергия выключения: 6,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0104 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
218 440,73
От 10 шт. 211 207,60
От 50 шт. 203 974,45
T1200TB25AIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
186 721,54
От 10 шт. 180 538,70
От 50 шт. 174 355,87