Микросхемы и полупроводниковые компоненты

Найдено компонентов: 37
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
IGBT модуль; конфигурация: полумост; 1200В; 63А; 1.85В; корпус SMPD
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
1 316,77
От 10 шт. 1 273,16
От 50 шт. 1 229,57
T0258HF65GIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 258 А. Корпус: W95. Встроенный диод. 0,0567 K/W; ток диода - 300 А. Энергия выключения: 1,45 J. Тепловое сопротивление: 0,0328 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
FII40-06DIXYS
MOSFET DISCRETE DiscMSFT NChSuprJuncMultiChp i4-Pac
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
727,51
От 10 шт. 703,43
От 50 шт. 679,33
T1890BF65EIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1890 А. Корпус: W103. Энергия выключения: 10,6 J. Тепловое сопротивление: 0,0045 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0385HF65EIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 385 А. Корпус: W95. Энергия выключения: 2,18 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0600AF65GIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W98. Встроенный диод. 0,0243 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 3,38 J. Тепловое сопротивление: 0,0141 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0900AF65EIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W98. Энергия выключения: 5,08 J. Тепловое сопротивление: 0,0094 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0900DF65AIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W96. Встроенный диод. 0,0155 K/W; ток диода - 950 А. Энергия выключения: 5,08 J. Тепловое сопротивление: 0,0094 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T1290BF65AIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1290 А. Корпус: W103. Встроенный диод. 0,0122 K/W; ток диода - 1400 А. Энергия выключения: 7,3 J. Тепловое сопротивление: 0,0066 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T1375DF65EIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1375 А. Корпус: W96. Энергия выключения: 7,7 J. Тепловое сопротивление: 0,0062 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0500ND25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 500 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 0,92 J. Тепловое сопротивление: 0,0386 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0570VD25GIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 570 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0365 K/W; ток диода - 340 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,0338 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0850VD25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 850 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 1,58 J. Тепловое сопротивление: 0,0225 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T1200TD25AIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1200 А. Корпус: W41. Встроенный диод. 0,0292 K/W; ток диода - 800 А. Энергия выключения: 2,1 J. Тепловое сопротивление: 0,0169 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T1500TD25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1500 А. Корпус: W41. Энергия выключения: 2,76 J. Тепловое сопротивление: 0,0129 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T2250AD25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 2250 А. Корпус: W71. Энергия выключения: 4,2 J. Тепловое сопротивление: 0,0085 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0360ND25AIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 360 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,073 K/W; ток диода - 320 А. Энергия выключения: 0,66 J. Тепловое сопротивление: 0,0541 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T1800GB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1800 А. Корпус: W45. Встроенный диод. 0,0144 K/W; ток диода - 1600 А. Энергия выключения: 10,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0073 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
449 218,96
От 10 шт. 434 344,15
От 50 шт. 419 469,36
T2250AB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
346 838,78
От 10 шт. 335 354,05
От 50 шт. 323 869,32
T2400GB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 2400 А. Корпус: W45. Энергия выключения: 13 J. Тепловое сопротивление: 0,0052 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
497 582,70
От 10 шт. 481 106,45
От 50 шт. 464 630,20
T0850VB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
131 880,01
От 10 шт. 127 513,13
От 50 шт. 123 146,23
T0900EB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0288 K/W; ток диода - 800 А. Энергия выключения: 5,3 J. Тепловое сопротивление: 0,0146 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
253 952,70
От 10 шт. 245 543,68
От 50 шт. 237 134,64
T1200EB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1200 А. Корпус: W44. Энергия выключения: 6,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0104 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
275 204,63
От 10 шт. 266 091,90
От 50 шт. 256 979,16
T1200TB25AIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
235 242,91
От 10 шт. 227 453,41
От 50 шт. 219 663,91
T1500TB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
236 906,74
От 10 шт. 229 062,14
От 50 шт. 221 217,55