Микросхемы и полупроводниковые компоненты

Найдено компонентов: 36
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
T0160NB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 160 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,173 K/W; ток диода - 130 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,073 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
56 676,73
От 10 шт. 54 800,03
От 50 шт. 52 923,31
T0240NB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 240 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 1,25 J. Тепловое сопротивление: 0,055 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
59 228,72
От 10 шт. 57 267,50
От 50 шт. 55 306,30
T0340VB45GIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 340 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0576 K/W; ток диода - 400 А. Энергия выключения: 2,1 J. Тепловое сопротивление: 0,0365 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
99 563,21
От 10 шт. 96 266,41
От 50 шт. 92 969,62
T0510VB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 510 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 3,15 J. Тепловое сопротивление: 0,0243 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
108 786,98
От 10 шт. 105 184,78
От 50 шт. 101 582,56
T0600TB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W41. Встроенный диод. 0,0432 K/W; ток диода - 530 А. Энергия выключения: 3,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
153 128,14
От 10 шт. 148 057,66
От 50 шт. 142 987,20
T0800TB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W41. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
162 817,94
От 10 шт. 157 426,62
От 50 шт. 152 035,30
T0800EB45GIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0246 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
210 532,94
От 10 шт. 203 561,65
От 50 шт. 196 590,36
T0900EB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0288 K/W; ток диода - 800 А. Энергия выключения: 5,3 J. Тепловое сопротивление: 0,0146 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
228 163,09
От 10 шт. 220 608,02
От 50 шт. 213 052,94
T1200EB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1200 А. Корпус: W44. Энергия выключения: 6,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0104 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
247 256,83
От 10 шт. 239 069,52
От 50 шт. 230 882,21
T1600GB45GIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1600 А. Корпус: W45. Встроенный диод. 0,0123 K/W; ток диода - 1380 А. Энергия выключения: 8,7 J. Тепловое сопротивление: 0,0078 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
373 160,30
От 10 шт. 360 804,00
От 50 шт. 348 447,70
T1800GB45AIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1800 А. Корпус: W45. Встроенный диод. 0,0144 K/W; ток диода - 1600 А. Энергия выключения: 10,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0073 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
403 599,52
От 10 шт. 390 235,30
От 50 шт. 376 871,06
T2400GB45EIXYS
IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 2400 А. Корпус: W45. Энергия выключения: 13 J. Тепловое сопротивление: 0,0052 K/W.
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
447 051,78
От 10 шт. 432 248,75
От 50 шт. 417 445,70
T1500TB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
212 848,19
От 10 шт. 205 800,24
От 50 шт. 198 752,29
T2250AB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
311 616,34
От 10 шт. 301 297,91
От 50 шт. 290 979,48
T0360NB25AIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
72 890,93
От 10 шт. 70 477,33
От 50 шт. 68 063,72
T0500NB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
75 133,22
От 10 шт. 72 645,37
От 50 шт. 70 157,52
T0570VB25GIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
114 169,39
От 10 шт. 110 388,95
От 50 шт. 106 608,50
T0850VB25EIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
118 487,22
От 10 шт. 114 563,81
От 50 шт. 110 640,38
T1200TB25AIXYS
Электронный компонент
По запросу
1 0
2 0
под заказ
1 0
2 0
211 353,32
От 10 шт. 204 354,88
От 50 шт. 197 356,43
T0258HF65GIXYS
IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 258 А. Корпус: W95. Встроенный диод. 0,0567 K/W; ток диода - 300 А. Энергия выключения: 1,45 J. Тепловое сопротивление: 0,0328 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0360ND25AIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 360 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,073 K/W; ток диода - 320 А. Энергия выключения: 0,66 J. Тепловое сопротивление: 0,0541 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0500ND25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 500 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 0,92 J. Тепловое сопротивление: 0,0386 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0570VD25GIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 570 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0365 K/W; ток диода - 340 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,0338 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T0850VD25EIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 850 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 1,58 J. Тепловое сопротивление: 0,0225 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
T1200TD25AIXYS
IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1200 А. Корпус: W41. Встроенный диод. 0,0292 K/W; ток диода - 800 А. Энергия выключения: 2,1 J. Тепловое сопротивление: 0,0169 K/W.
По запросу
под заказ
Цена
по запросу