Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
FII40-06D — IXYS IGBT модуль; Конфигурация: полумост; 600В; 40А; 1,8В; Корпус: i4-PAC | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 685,22 От 10 шт. 662,53 От 50 шт. 639,84 | |
IXA40PG1200DHGLB — IXYS IGBT модуль; конфигурация: полумост; 1200В; 63А; 1.85В; корпус SMPD | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 1 045,18 От 10 шт. 1 010,57 От 50 шт. 975,96 | |
T0160NB45A — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 160 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,173 K/W; ток диода - 130 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,073 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 50 071,44 От 10 шт. 48 413,45 От 50 шт. 46 755,46 | |
T0240NB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 240 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 1,25 J. Тепловое сопротивление: 0,055 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 52 326,02 От 10 шт. 50 593,37 От 50 шт. 48 860,72 | |
T0258HF65G — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 258 А. Корпус: W95. Встроенный диод. 0,0567 K/W; ток диода - 300 А. Энергия выключения: 1,45 J. Тепловое сопротивление: 0,0328 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0340VB45G — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 340 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0576 K/W; ток диода - 400 А. Энергия выключения: 2,1 J. Тепловое сопротивление: 0,0365 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 87 959,80 От 10 шт. 85 047,22 От 50 шт. 82 134,64 | |
T0360NB25A — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 64 395,98 От 10 шт. 62 263,68 От 50 шт. 60 131,35 | |
T0360ND25A — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 360 А. Корпус: W40. Встроенный диод. 0,073 K/W; ток диода - 320 А. Энергия выключения: 0,66 J. Тепловое сопротивление: 0,0541 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0385HF65E — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 385 А. Корпус: W95. Энергия выключения: 2,18 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0500NB25E — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 66 376,96 От 10 шт. 64 179,05 От 50 шт. 61 981,14 | |
T0500ND25E — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 500 А. Корпус: W40. Энергия выключения: 0,92 J. Тепловое сопротивление: 0,0386 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0510VB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 510 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 3,15 J. Тепловое сопротивление: 0,0243 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 96 108,60 От 10 шт. 92 926,20 От 50 шт. 89 743,80 | |
T0570VB25G — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 100 863,73 От 10 шт. 97 523,87 От 50 шт. 94 184,00 | |
T0570VD25G — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 570 А. Корпус: W67. Встроенный диод. 0,0365 K/W; ток диода - 340 А. Энергия выключения: 1,05 J. Тепловое сопротивление: 0,0338 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0600AF65G — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W98. Встроенный диод. 0,0243 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 3,38 J. Тепловое сопротивление: 0,0141 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0600TB45A — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 600 А. Корпус: W41. Встроенный диод. 0,0432 K/W; ток диода - 530 А. Энергия выключения: 3,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0219 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 135 282,08 От 10 шт. 130 802,54 От 50 шт. 126 323,02 | |
T0800EB45G — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0246 K/W; ток диода - 700 А. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 185 996,76 От 10 шт. 179 837,93 От 50 шт. 173 679,10 | |
T0800TB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 800 А. Корпус: W41. Энергия выключения: 4,9 J. Тепловое сопротивление: 0,0156 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 143 842,61 От 10 шт. 139 079,62 От 50 шт. 134 316,61 | |
T0850VB25E — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 104 678,34 От 10 шт. 101 212,18 От 50 шт. 97 746,00 | |
T0850VD25E — IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 850 А. Корпус: W67. Энергия выключения: 1,58 J. Тепловое сопротивление: 0,0225 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0900AF65E — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W98. Энергия выключения: 5,08 J. Тепловое сопротивление: 0,0094 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0900DF65A — IXYS IGBT-транзистор, 6500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W96. Встроенный диод. 0,0155 K/W; ток диода - 950 А. Энергия выключения: 5,08 J. Тепловое сопротивление: 0,0094 K/W. | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
T0900EB45A — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 900 А. Корпус: W44. Встроенный диод. 0,0288 K/W; ток диода - 800 А. Энергия выключения: 5,3 J. Тепловое сопротивление: 0,0146 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 201 572,23 От 10 шт. 194 897,65 От 50 шт. 188 223,07 | |
T1200EB45E — IXYS IGBT-транзистор, 4500 V. Технология Capsule type. Рабочий ток (t=25 °C): 1200 А. Корпус: W44. Энергия выключения: 6,5 J. Тепловое сопротивление: 0,0104 K/W. | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 218 440,73 От 10 шт. 211 207,60 От 50 шт. 203 974,45 | |
T1200TB25A — IXYS Электронный компонент | По запросу 1 0 2 0 | под заказ 1 0 2 0 | 186 721,54 От 10 шт. 180 538,70 От 50 шт. 174 355,87 |