НаименованиеПроизводительРазвернуть параметрыКраткое описаниеНаличиештЦена с НДСОтправить
запрос
24S101CMURATA POWER SOLUTIONS INC.катушка индуктивности 100мкГн, I = 0.52A (DC), ферритовый экран от ЭМИ, SMD, 7.1x7.7x4.5 мм, -40...+85°С, Reel-упаковка, бессвинцоваяНет26,13
CPUN0806T-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.0мм, 1мкГн, 20%, 0.0058Ом, 15АНет---
CPUN0806T-1R2M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.0мм, 1.2мкГн, 20%, 0.0058Ом, 15АНет---
CPUN0806T-R33M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.0027Ом, 22АНет---
CPUN0806T-R47M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.0031Ом, 20АНет---
CPUN0806T-R56M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.0мм, 0.56мкГн, 20%, 0.0031Ом, 20АНет---
CPUN0806T-R68M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.0031Ом, 20АНет---
CPUN0806T-R82M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.0мм, 0.82мкГн, 20%, 0.0042Ом, 18АНет---
CPUN1009T-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 1мкГн, 20%, 0.003Ом, 21АНет---
CPUN1009T-2R0M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 2мкГн, 20%, 0.0057Ом, 26АНет---
CPUN1009T-3R3M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 3.3мкГн, 20%, 0.0115Ом, 16АНет---
CPUN1009T-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 4.7мкГн, 20%, 0.0115Ом, 11АНет---
CPUN1009T-6R8M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 6.8мкГн, 20%, 0.026Ом, 7АНет---
CPUN1009T-R56M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.3*9.5мм, 0.56мкГн, 20%, 0.002Ом, 26АНет---
CPUN1210T-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10.0мм, 1мкГн, 20%, 0.0024Ом, 30АНет22,93
CPUN1210T-1R5M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.0024Ом, 25АНет22,93
CPUN1210T-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.0047Ом, 21АНет22,93
CPUN1210T-3R3M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10.0мм, 3.3мкГн, 20%, 0.0063Ом, 14АНет22,93
CPUN1210T-R22M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10.0мм, 0.22мкГн, 20%, 0.0015Ом, 37АНет22,93
CPUN1210T-R33M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.0015Ом, 37АНет22,93
CPUN1210T-R47M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.0018Ом, 35АНет22,93
CPUN1210T-R56M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10.0мм, 0.56мкГн, 20%, 0.0018Ом, 35АНет22,93
CPUN1210T-R68M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.0018Ом, 35АНет22,93
CPUN1210T-R82M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10.0мм, 0.82мкГн, 20%, 0.0024Ом, 30АНет22,93
CPUS0807MN-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.5мм, 1мкГн, 20%, 0.0043Ом, 15АНет---
CPUS0807MN-1R5M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.5мм, 1.5мкГн, 20%, 0.0062Ом, 11АНет---
CPUS0807MN-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.5мм, 2.2мкГн, 20%, 0.0062Ом, 8АНет---
CPUS0807MN-3R3M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.5мм, 3.3мкГн, 20%, 0.009Ом, 5АНет---
CPUS0807MN-R30M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.5мм, 0.3мкГн, 20%, 0.0027Ом, 27АНет---
CPUS0807MN-R47M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.5мм, 0.47мкГн, 20%, 0.0031Ом, 25АНет---
CPUS0807MN-R56M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.5мм, 0.56мкГн, 20%, 0.0031Ом, 20АНет---
CPUS0807MN-R68M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 8.8*8.4*7.5мм, 0.68мкГн, 20%, 0.0031Ом, 17АНет---
CPUS1009MN-100M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 10мкГн, 20%, 0.026Ом, 5АНет---
CPUS1009MN-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 1мкГн, 20%, 0.00265Ом, 21АНет---
CPUS1009MN-1R5M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 1.5мкГн, 20%, 0.004Ом, 17АНет---
CPUS1009MN-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 2.2мкГн, 20%, 0.0053Ом, 14АНет---
CPUS1009MN-3R3M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 3.3мкГн, 20%, 0.0077Ом, 10АНет---
CPUS1009MN-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 4.7мкГн, 20%, 0.0108Ом, 8.5АНет---
CPUS1009MN-6R8M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 6.8мкГн, 20%, 0.0169Ом, 7АНет---
CPUS1009MN-8R2M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 8.2мкГн, 20%, 0.0169Ом, 6АНет---
CPUS1009MN-R22M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 0.22мкГн, 20%, 0.0016Ом, 55АНет---
CPUS1009MN-R33M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 0.33мкГн, 20%, 0.0016Ом, 42АНет---
CPUS1009MN-R47M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 0.47мкГн, 20%, 0.00185Ом, 36АНет---
CPUS1009MN-R56M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 0.56мкГн, 20%, 0.00185Ом, 32АНет---
CPUS1009MN-R68M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 0.68мкГн, 20%, 0.00265Ом, 28АНет---
CPUS1009MN-R82M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 11.3*10.4*9.7мм, 0.82мкГн, 20%, 0.00265Ом, 24АНет---
CPUS1210MN-100M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10мм, 10мкГн, 20%, 0.0187Ом, 6АНет---
CPUS1210MN-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10мм, 1мкГн, 20%, 0.0024Ом, 28АНет---
CPUS1210MN-1R5M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10мм, 1.5мкГн, 20%, 0.0035Ом, 24АНет---
CPUS1210MN-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS CORP.Силовая индуктивность 12.3*11.7*10мм, 2.2мкГн, 20%, 0.0047Ом, 18АНет---