НаименованиеПроизводительРазвернуть параметрыКраткое описаниеНаличиештЦена с НДСОтправить
запрос
FM1105RAMTRON INTERNATIONAL CORP.FRAM-триггер, сдвоенный. FCLK=1МГц, 1 трлн. циклов изм. состояния. Iвых=10mA, Uпит=4.5…5.5В, SOT-23-8, -40…+85°CНет---
FM16W08-SGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Память 64кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 2.7-5.5 вольт, корпус SOIC28, -40+85Нет---
FM18L08-70-PGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.256Kb Bytewide FRAM Memory, 70 ns access,140 ns Cycle Time, 28-pin “Green” DIP,-40° C to +85° C,45 year Data Retention2255,89
+1
FM23MLD16-60-BGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Память F-RAM, объем 512х16 8 МБит, паралл. интерфейс, 100 триллионов циклов перезаписи, время доступа 60нс, напряжение питания 2,7 -3,6 В, максимальный ток потребления 14мА, температурный диапазон -40+85С, корпус 48 выводов FBGA, совместима с SRAM1---
FM24C04B-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память объемом 4кБит, интерфейс I2C, напряжение питания 4,5 - 5,5 В, корпус SOIC8, температурный диапазон -40+85, максимальная рабочая частота 1МГц, потребление на максимальной частоте 300мкА, Pb freeНет---
FM24C04B-GTRRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память объемом 4кБит, интерфейс I2C, напряжение питания 4,5 - 5,5 В, корпус SOIC8, температурный диапазон -40+85, максимальная рабочая частота 1МГц, потребление на максимальной частоте 300мкА, Pb freeНет---
FM24C04C-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память объемом 4кБит, интерфейс I2C, напряжение питания 4,5 - 5,5 В, корпус SOIC8, температурный диапазон -40+85, максимальная рабочая частота 1МГц, потребление на максимальной частоте 300мкА, Pb freeНет---
FM24C16B-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память объемом 16кБит, интерфейс I2C, питание 4,5-5 Вольт, корпус SOIC8, максимальная скорость записи 1МГц, потребление в активном режиме на максимальной скорости записи 400мкА против 1мА у FM24C16A, подробнее информация в AN214Нет---
FM24C16C-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память объемом 16кБит, интерфейс I2C, питание 4,5-5 Вольт, корпус SOIC8, максимальная скорость записи 1МГц, потребление в активном режиме на максимальной скорости записи 400мкА против 1мА у FM24C16A, подробнее информация в AN214Нет---
FM24C512-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Снят с производства.Доступно аналогов: 1Нет---
FM24C64B-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Память F-Ram объемом 64кБит, напряжение питания 4,5-5,5 Вольт, корпус SOIC8, I2C интерфейс, максимальная частота работы 1 МГц, потребление на максимальной частоте 400мкА( против 1,2 мА у FM24C64), температурный диапазон -40+85Нет---
FM24CL64B-GARAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память объемом 64 кБит, интерфейс I2C, напряжение питания 2,7 -3,65 В, температурный диапазон -40+125, Pb freeНет---
FM24CL64B-GTRRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память объемом 64 кБит, интерфейс I2C, напряжение питания 2,7 -3,65 В, температурный диапазон -40+85, Pb free2---
FM24CL64-DGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Cнята с производства, замена FM24CL64B-DGНет124,11
FM24V01-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память объемом 128кБит, интерфейс I2C, напряжение питания 2-3,6В, корпус SOIC8, температурный диапазон -40+85, Pb freeНет---
FM24V02-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память с I2C интерфейсом, объем 256 кБит, макс скорость 3,4 МГЦ, потребление 1мА, напряжение питания 2-3,6 В, корпус SOIC1---
FM24V05-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память с I2C интерфейсом объемом 512 кБит, 100 триллионов циклов перезаписи, максимальная частота 3,4МГц, максимальный ток потребления 1 мА, напряжение питания от 2до 3,6 Вольт, корпус SOIC8, температурный диапазон -40+85СДоступно аналогов: 1Нет---
FM24V10-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память с интерфейсом I2C объемом 1МБит, 100 триллионов циклов перезаписи, максимальная частота 3,4МГц, напряжение питания 2-3,6 Вольт, температурный диапазон -40+85, корпус SOIC8, максимальный ток потребления 1 мАНет---
FM24VN10-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память с интерфейсом I2C объемом 1МБит, 100 триллионов циклов перезаписи, максимальная частота 3,4МГц, напряжение питания 2-3,6 Вольт, температурный диапазон -40+85, корпус SOIC8, максимальный ток потребления 1 мА, серийный номерНет---
FM24W256-EGTRRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Снята с производства.203---
FM25040B-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память объемом 4 кБит, SPI интерфейс, температурный диапазон -40+85, корпус SOIC, напряжение питания 4,5 -5,5 В, Pb freeНет---
FM25640BG-TRCYPRESS SEMICONDUCTOR CORP.Микросхема 183569,82
+1
FM25CL64B-DGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Память F-Ram объемом 64 кБит, интерфейс SPI, температурный диапазон -40+85, корпус DFN8, напряжение питания 2.7 - 3.65В, потребление в режиме ожидания 5мкАНет---
FM25H20-DGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Память F-RAM 2 МБит, 100 трил. циклов перезаписи, интерфейс SPI 40 МГц, напряжение питания 2,7 - 3,6 В, -40+85, корпус 8 pinTDFN, PB freeНет---
FM25L16B-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память 16 кбит, интерфейс SPI, -40+85, корпус SOIC8, 100 триллионов циклов перезаписи, питание 2,7-3,6 Вол ьт, макс раб частота 20 МГц, потреб на макс частоте 3мАНет---
FM25L256ARAMTRON INTERNATIONAL CORP.Снята с производства, возможная замена FM25V02 или FM25W256Доступно аналогов: 1797---
FM25V02-DGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Память FRAM 256 кБит, интерфейс SPI до 40МГц, 100 триллионов циклов перезаписи, корпус DFN 8, PbFree, питание 2,0 - 3,6 В, -40 +85 .Нет---
FM25V02-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Память FRAM 256 кБит, интерфейс SPI до 40МГц, 100 триллионов циклов перезаписи, корпус SOIC 8, PbFree, питание 2,0 - 3,6 В, -40 +85Доступно аналогов: 1Нет---
FM25V20-DGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.F-Ram память 2МБит, интерфейс SPI, напряжения питания 2-3,6В, корпус DFN8, температурный диапазон 40-85, Pb freeНет---
FM25VN05-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Снята с производства.Нет---
FM25VN10-GRAMTRON INTERNATIONAL CORP.память FRAM, 1МБит, SPI, 100 трл. циклов перезаписи, 64-разр. серийный номер, Uпит=2,0...3.6В, -40°…+85°С, SOIC-8, Pb-FreeНет---
FM28V010-SGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Снята с производства.Нет---
FM28V020-SGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Память F-Ram, 256 кбит, время доступа 70 нс, питание 2.0 - 3.6В, макс ток 12 мА, корпус 28 выводов SOIC, -40+85.Нет---
FM28V020-TGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Память F-Ram, 256 кбит, время доступа 70 нс, напряжение питания 2.0 - 3.6В, максимальный ток 12 мА, корпус 32 вывода TSOP, -40+85.Нет---
FM28V100-TGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.память FRAM, 1Мбит (128Kx8), паралл., 60 нс, 100 трл. циклов перезаписи, Uпит=2.0…3.6В, -40°…+85°С, TSOP-I-32, без свинцаНет---
FM31256-GCYPRESS SEMICONDUCTOR CORP.SOIC 14/IЁ/Integrated Processor Companion with MemoryНет---
FM31L278-GTRCYPRESS SEMICONDUCTOR CORP.Электронный компонент Нет---
FM6124-QGRAMTRON INTERNATIONAL CORP.Снята с производства.Нет---
MR44V064AMAZAABROHMIC, Память FRAM 64 КБит, интерфейс I2C, 100 триллионов циклов перезаписи, корпус SOIC 8, PbFree, питание 2,5 - 3,6 В, -40 +85245024,07
+1
MR45V032AMAZBATLROHMIC, Память FRAM 32КБит, интерфейс SPI до 15МГц, 100 триллионов циклов перезаписи, корпус SOIC 8, PbFree, питание 2,7 - 3,6 В, -40 +85Нет66,78
MR45V256AMAZAAT-LROHMIC, Память FRAM 256 КБит, интерфейс SPI до 15МГц, 100 триллионов циклов перезаписи, корпус SOIC 8, PbFree, питание 3,0 - 3,6 В, -40 +85488643,46
+1