НаименованиеПроизводительРазвернуть параметрыКраткое описаниеНаличиештЦена с НДСОтправить
запрос
2N6660MICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 TO-39 BAG MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 3 OhmНет609,80
2N6661MICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 TO-39 BAG MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 90V, 4 OhmНет609,80
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 TO-92 BAG MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 5 OhmНет10,91
2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 SOT-23 1.3mm T/R MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 OhmНет14,04
2N7008-GMICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 TO-92 BAG MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 OhmНет14,82
2SJ360(TE12L,F)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет17,94
2SJ598-Z-E1-AZRENESAS TECHNOLOGY CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтажНет---
2SJ601-Z-E1RENESAS TECHNOLOGY CORP.Транзистор Нет---
2SJ605-ZJ-E1RENESAS TECHNOLOGY CORP.MOSFET, Pch-канальный, VDSS=-60V, Id=-65А, Rds(on)max= 0.02Ом@VGS=10BДоступно аналогов: 1Нет---
2SJ605-ZJ-E1-AZRENESAS TECHNOLOGY CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-63 А, Qg=87 нКл, PD=100 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,02 , 3pin-TO263 Поверхностный монтажДоступно аналогов: 1919---
2SJ668(TE16L1,NQ)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет25,92
2SJ681(Q)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет15,65
2SK1588-T1RENESAS TECHNOLOGY CORP.Транзистор 1396---
2SK1852-TRENESAS TECHNOLOGY CORP.Транзистор 1862---
2SK2399(TE16L1,NQ)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет28,50
2SK2615(TE12L,F)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет13,38
2SK2719(F)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет68,95
2SK2847(F)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет131,45
2SK2865(TE16L1,NQ)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет26,66
2SK2917(F)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет173,52
2SK2963(TE12L,F)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет14,34
2SK2992(TE12L,F)TOSHIBA CORP.Не рекомендуется для новых разработокНет13,97
2SK3110RENESAS TECHNOLOGY CORP.SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USEДоступно аналогов: 11363---
2SK3294-ZJ-E1-AZ/JMRENESAS TECHNOLOGY CORP.Транзистор Нет---
2SK3471(TE12L,F)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет17,57
2SK3480RENESAS TECHNOLOGY CORP.MOSFET, Nch-канальный, Single, VDSS=100В, ID(DC)=50А, RDS(ON)max=0.03Ом@VGS=10V , MP-25/TO-220Доступно аналогов: 1Нет---
2SK3480-AZRENESAS TECHNOLOGY CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=100 В, ID=50 А, Qg=74 нКл, PD=1,5 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,031 , 3pin-TO-220 Поверхностный монтажДоступно аналогов: 12450---
2SK3564(STA4,Q,M)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=3 А, Qg=17 нКл, PD=40 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =4,3 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтажНет48,14
2SK3565(STA4,Q,M)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=5 А, Qg=28 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2,5 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтажНет62,78
2SK3633(F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=800 В, ID=7 А, Qg=35 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,7 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтажНет84,15
2SK3700(F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=5 А, Qg=28 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2,5 , 3pin-TO-3P(N) монтажНет83,17
2SK3767(STA4,Q,M)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет25,45
2SK3798(STA4,Q,M)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=4 А, Qg=26 нКл, PD=40 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =3,5 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтажНет44,84
2SK3799(Q,M)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=8 А, Qg=60 нКл, PD=50 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,3 , 3pin-TO-220SIS монтажНет92,97
2SK3843(TE24L,Q)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет75,28
2SK3878(F)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет94,22
2SK4013(STA4,Q,M)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=800 В, ID=6 А, Qg=45 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,7 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтажНет63,64
2SK4014(STA4,Q,M)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=6 А, Qg=45 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2 , 3pin-TO-220SIS монтажНет66,21
2SK4017(Q)TOSHIBA CORP.Транзистор Нет11,95
2SK4033(TE16L1,NQ)TOSHIBA CORP.Не рекомендуется для новых разработокНет11,95
2SK4034(TE24L,Q)TOSHIBA CORP.Не рекомендуется для новых разработокНет109,70
2SK4115(F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=7 А, Qg=45 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтажНет79,85
2SK4207(Q)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=13 А, Qg=45 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,95 , 3pin-TO-3P(N) Поверхностный монтаж89127,18
+1
DN1509K1-GMICROCHIP TECHNOLOGY INC.5 SOT-23 T/R MOSFET, DEPLETION-MODE, 90V, 6 OhmНет28,07
DN1509N8-GMICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 SOT-89 T/R MOSFET, DEPLETION-MODE, 90V, 6 OhmНет35,09
DN2450K4-GMICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 DPAK T/R MOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 10 OhmНет31,19
DN2450N8-GMICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 SOT-89 T/R MOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 10 OhmНет33,54
DN2470K4-GMICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 DPAK T/R MOSFET, DEPLETION-MODE, 700V, 42 OhmНет39,77
DN2530N3-GMICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 TO-92 BAG MOSFET, DEPLETION-MODE, 300V, 12 OhmНет29,63
DN2530N8-GMICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 SOT-89 T/R MOSFET, DEPLETION-MODE, 300V, 12 OhmНет32,74