НаименованиеПроизводительРазвернуть параметрыКраткое описаниеНаличиештЦена с НДСОтправить
запрос
2N6660MICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 3 Ohm, 3 TO-39 BAGНет880,17
2N6661MICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 90V, 4 Ohm, 3 TO-39 BAGНет880,17
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 5 Ohm, 3 TO-92 BAGНет15,76
2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 Ohm, 3 SOT-23 T/RНет20,26
2N7008-GMICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 Ohm, 3 TO-92 BAGНет21,39
2SJ360(TE12L,F)TOSHIBAТранзистор Нет18,17
2SJ598-Z-E1-AZRENESAS TECHNOLOGYMOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтажНет---
2SJ601-Z-E1RENESAS TECHNOLOGYТранзистор Нет---
2SJ605-ZJ-E1RENESAS TECHNOLOGYMOSFET, Pch-канальный, VDSS=-60V, Id=-65А, Rds(on)max= 0.02Ом@VGS=10BДоступно аналогов: 1Нет---
2SJ605-ZJ-E1-AZRENESAS TECHNOLOGYMOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-63 А, Qg=87 нКл, PD=100 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,02 , 3pin-TO263 Поверхностный монтажДоступно аналогов: 1919---
2SJ668(TE16L1,NQ)TOSHIBAТранзистор Нет26,27
2SJ681(Q)TOSHIBAТранзистор Нет15,86
2SK1588-T1RENESAS TECHNOLOGYТранзистор 1396---
2SK1852-TRENESAS TECHNOLOGYТранзистор 1862---
2SK2399(TE16L1,NQ)TOSHIBAТранзистор Нет28,87
2SK2615(TE12L,F)TOSHIBAТранзистор Нет13,57
2SK2719(F)TOSHIBAТранзистор Нет69,88
2SK2847(F)TOSHIBAТранзистор Нет133,21
2SK2865(TE16L1,NQ)TOSHIBAТранзистор Нет27,02
2SK2917(F)TOSHIBAТранзистор Нет175,84
2SK2963(TE12L,F)TOSHIBAТранзистор Нет14,53
2SK2992(TE12L,F)TOSHIBAНе рекомендуется для новых разработокНет14,16
2SK3110RENESAS TECHNOLOGYSWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USEДоступно аналогов: 11363---
2SK3294-ZJ-E1-AZ/JMRENESAS TECHNOLOGYТранзистор Нет---
2SK3471(TE12L,F)TOSHIBAТранзистор Нет17,81
2SK3480RENESAS TECHNOLOGYMOSFET, Nch-канальный, Single, VDSS=100В, ID(DC)=50А, RDS(ON)max=0.03Ом@VGS=10V , MP-25/TO-220Доступно аналогов: 1Нет---
2SK3480-AZRENESAS TECHNOLOGYMOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=100 В, ID=50 А, Qg=74 нКл, PD=1,5 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,031 , 3pin-TO-220 Поверхностный монтажДоступно аналогов: 12450---
2SK3564(STA4,Q,M)TOSHIBAMOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=3 А, Qg=17 нКл, PD=40 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =4,3 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтажНет48,79
2SK3565(STA4,Q,M)TOSHIBAMOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=5 А, Qg=28 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2,5 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтажНет63,61
2SK3633(F)TOSHIBAMOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=800 В, ID=7 А, Qg=35 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,7 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтажНет85,28
2SK3700(F)TOSHIBAMOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=5 А, Qg=28 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2,5 , 3pin-TO-3P(N) монтажНет84,28
2SK3767(STA4,Q,M)TOSHIBAТранзистор Нет25,79
2SK3798(STA4,Q,M)TOSHIBAMOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=4 А, Qg=26 нКл, PD=40 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =3,5 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтажНет45,44
2SK3799(Q,M)TOSHIBAMOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=8 А, Qg=60 нКл, PD=50 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,3 , 3pin-TO-220SIS монтажНет94,21
2SK3843(TE24L,Q)TOSHIBAТранзистор Нет76,29
2SK3878(F)TOSHIBAТранзистор Нет95,49
2SK4013(STA4,Q,M)TOSHIBAMOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=800 В, ID=6 А, Qg=45 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,7 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтажНет64,49
2SK4014(STA4,Q,M)TOSHIBAMOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=6 А, Qg=45 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2 , 3pin-TO-220SIS монтажНет67,09
2SK4017(Q)TOSHIBAТранзистор Нет12,12
2SK4033(TE16L1,NQ)TOSHIBAНе рекомендуется для новых разработокНет12,12
2SK4034(TE24L,Q)TOSHIBAНе рекомендуется для новых разработокНет111,17
2SK4115(F)TOSHIBAMOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=7 А, Qg=45 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтажНет80,91
2SK4207(Q)TOSHIBAMOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=13 А, Qg=45 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,95 , 3pin-TO-3P(N) Поверхностный монтаж90164,33
+1
DN1509K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, DEPLETION-MODE, 90V, 6 Ohm, 5 SOT-23 T/RНет40,52
DN1509N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, DEPLETION-MODE, 90V, 6 Ohm, 3 SOT-89 T/RНет50,65
DN2450K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 10 Ohm, 3 DPAK T/RНет45,03
DN2450N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 10 Ohm, 3 SOT-89 T/RНет48,40
DN2470K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, DEPLETION-MODE, 700V, 42 Ohm, 3 DPAK T/RНет57,41
DN2530N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, DEPLETION-MODE, 300V, 12 Ohm, 3 TO-92 BAGНет42,77
DN2530N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYMOSFET, DEPLETION-MODE, 300V, 12 Ohm, 3 SOT-89 T/RНет47,28