НаименованиеПроизводительКраткое описаниеНаличиештЦена с НДСОтправить
запрос
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTOR AGN-канальный FET транзистор, TO-92, 0.35 Вт, 60 В, 200 мА, Rds <56 Ом, -55…+150°С
Нет
2,36
2N7002WT1GOn SemiconductorSC70-3/SMALL SIGNAL MOSFET 60 V, 340 MA, SINGLE, N-CHANNEL
Независимый дистрибутор
9000
1,16
2SJ168(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-0.2 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin-S-Mini монтаж
Нет
24,44
2SK1062(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=60 В, ID=0.2 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin-S-Mini монтаж
Нет
24,44
2SK1828(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin-S-Mini монтаж
Нет
3,42
2SK1829(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin--USM монтаж
Нет
4,15
2SK1830(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin-SSM монтаж
Нет
5,04
2SK2009(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=0.2 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin-S-Mini монтаж
Нет
11,86
2SK2035(T5L,F,T)TOSHIBA CORP.N-CHANNEL SMOS
Нет
4,76
2SK2035,LF(TTOSHIBA CORP.Транзистор
Нет
4,89
2SK208-GR(TE85L,F)TOSHIBA CORP.N-CHANNEL JFET
Нет
10,02
2SK208-O(TE85L,F)TOSHIBA CORP.N-CHANNEL JFET
Нет
10,02
2SK208-R(TE85L,F)TOSHIBA CORP.N-CHANNEL JFET
Нет
10,02
2SK208-Y(TE85R,F)TOSHIBA CORP.N-CHANNEL JFET
Нет
10,02
2SK209-BL(TE85L,F)TOSHIBA CORP.N-CHANNEL JFET
Нет
11,73
2SK209-GR(TE85L,F)TOSHIBA CORP.N-CHANNEL JFET
Нет
11,73
2SK209-Y(TE85L,F)TOSHIBA CORP.N-CHANNEL JFET
Нет
11,73
2SK880-GR(TE85L,F)TOSHIBA CORP.N-CHANNEL JFET
Нет
23,09
BSS84PL6327INFINEON TECHNOLOGIES AGЭлектронный компонент
Нет
---
CPC5603CTRIXYS CORPORATION N-Channel Depletion Mode FET, SOT-223 Pkg. Tape and Reel (1000/Reel)
1000
23,89
+1
HN1K02FU(T5L,F,T)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, Nx2-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 6pin-US6 монтаж
Нет
13,07
HN1K02FU(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, Nx2-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 6pin-US7 монтаж
Нет
13,07
HN4B102J(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET VS-6 SINGLE
Нет
13,35
J105FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP.Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bulk
Независимый дистрибутор
1000
22,04
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTOR AGN-канальный FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.35 Вт, 60 В, 115 мА, Rds < 4 Ом, -55…+150°С (аналог 2N7002K)
5342
1,64
+100
MMFTN123DIOTEC SEMICONDUCTOR AGN-канальный FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.36 Вт, 100 В, 170 мА, Rds < 6 Ом, -55…+150°С (аналог BSS123)
Нет
2,19
MMFTN138DIOTEC SEMICONDUCTOR AGN-канальный FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.36 Вт, 50 В, 880 мА, Rds <3.5 Ом, -55…+150°С
Нет
2,19
MMFTN170DIOTEC SEMICONDUCTOR AGN-канальный FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.3 Вт, 60 В, 800 мА, Rds <5 Ом, -55…+150°С
Нет
2,19
MMFTN20DIOTEC SEMICONDUCTOR AGN-канальный D-MOS транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.3 Вт, 50 В, 300 мА, Rds <30 Ом, -55…+150°С (аналог BSS123)
Нет
2,19
MMFTN290EDIOTEC SEMICONDUCTOR AGN-канальный FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.3 Вт, 20 В, 700 мА, -55…+150°С
Нет
2,04
MMFTN3018WDIOTEC SEMICONDUCTOR AGN-канальный MOS FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.2 Вт, 60 В, 400 мА, Rds <130 Ом, -55…+150°С0
Нет
2,19
SSM3J112TU(TE85L)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, VGSS=+/-20 В, ID=-1,1 A, Vth(max)=-1,8 В, RDSON= см. даташит @1,8 В, 3pin-UFM
Нет
11,00
SSM3J120TU(TE85L)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-20 В, VGSS=+/-8 В, ID=-4 A, Vth(max)=-1 В, RDSON=0,078@1,8 В, 3pin-UFM
Нет
10,87
SSM3J15FV(TPL3,Z)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, VGSS=+/-20 В, ID=-0,1 A, Vth(max)=-1,7 В, RDSON= см. даташит @1,8 В, 3pin-VESM
Нет
4,28
SSM3J16FS(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-20 В, VGSS=+/-10 В, ID=-0,1 A, Vth(max)=-1,1 В, RDSON= см. даташит @1,8 В, 3pin-SSM
Нет
4,28
SSM3J328R,LF(BTOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-20 В, VGSS=+/-8 В, ID=-6 A, Vth(max)= В, RDSON=0,056@1,8 В, 3pin-SOT23F
Нет
---
SSM3J332R,LF(TTOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, VGSS=+/-12 В, ID=-6 A, Vth(max)= В, RDSON=0,144@1,8 В, 3pin-SOT23F
Распродажа
36951
1,16
+1
SSM3J334R,LF(TTOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, VGSS=+/-20 В, ID=-4 A, Vth(max)= В, RDSON=@1,8 В, 3pin-SOT23F
Нет
3,91
SSM3J35CT,L3F(TTOSHIBA CORP.N-CHANNEL SMOS
Нет
2,71
SSM3J35MFV,L3F(TTOSHIBA CORP.Транзистор
Нет
2,10
SSM3J46CTB(TPL3)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-20 В, VGSS=+/-8 В, ID=-2 A, Vth(max)=-1 В, RDSON=0,178@1,8 В, 3pin-CST3
Нет
7,34
SSM3J56MFV,L3F(TTOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-20 В, VGSS=+/-8 В, ID=-0.8 A, Vth(max)= В, RDSON=0,66@1,8 В, 3pin-VESM
Нет
3,54
SSM3K09FU(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, VGSS=+/-20 В, ID=0,4 A, Vth(max)=1,8 В, RDSON= см. даташит @1,8 В, 3pin-USM
Нет
9,17
SSM3K104TU(TE85L)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=20 В, VGSS=+/-12 В, ID=3 A, Vth(max)=1 В, RDSON=0,11@1,8 В, 3pin-UFM
Нет
11,97
SSM3K119TU,LF(TTOSHIBA CORP.Транзистор
Нет
7,28
SSM3K15AMFV,L3F(TTOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, VGSS=+/-20 В, ID=0,1 A, Vth(max)=1,5 В, RDSON= см. даташит @1,8 В, 3pin-VESM
Нет
1,83
SSM3K15F(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, VGSS=+/-20 В, ID=0,1 A, Vth(max)=1,5 В, RDSON= см. даташит @1,8 В, 3pin-S-Mini
Нет
4,28
SSM3K15FS(TE85L,F)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, VGSS=+/-20 В, ID=0,1 A, Vth(max)=1,5 В, RDSON= см. даташит @1,8 В, 3pin-SSM
Нет
4,28
SSM3K15FS,LF(TTOSHIBA CORP.Транзистор
Нет
4,32
SSM3K16CT(TPL3)TOSHIBA CORP.MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=20 В, VGSS=+/-10 В, ID=0,1 A, Vth(max)=1,1 В, RDSON=5,2@1,8 В, 3pin-CST3
Нет
3,79