НаименованиеПроизводительРазвернуть параметрыКраткое описаниеНаличиештЦена с НДСОтправить
запрос
FID35-06CIXYS CORPORATIONi4-Pac (5)Нет---
GN2470K4-GMICROCHIP TECHNOLOGY INC.3 DPAK T/R INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 700V, 3.5AНет34,28
IRGP50B60PDPBFINFINEON TECHNOLOGIES AGIGBT DISCRETES703167,32
+1
ITF38IF1200HJIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V Fast Trench IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 52 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 42 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,68 mJ. Тепловое сопротивление: 0,68 K/W.Нет---
IX169X12AIXYS CORPORATIONкристалл IGBTНет1 083,46
IXA12IF1200HBIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 1,5 mJ. Тепловое сопротивление: 1,5 K/W.Нет186,83
IXA12IF1200PBIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-220AB. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 1,5 mJ. Тепловое сопротивление: 1,5 K/W.40160,14
+1
IXA12IF1200TCIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 1,5 mJ. Тепловое сопротивление: 1,5 K/W.Нет241,05
IXA17IF1200HJIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 19 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 1,26 mJ. Тепловое сопротивление: 1,26 K/W.Нет301,94
IXA20I1200PBIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-220AB. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,76 mJ. Тепловое сопротивление: 0,76 K/W.Нет170,16
IXA20I1200PZIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,76 mJ. Тепловое сопротивление: 0,76 K/W.Нет---
IXA20IF1200HBIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 24 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,76 mJ. Тепловое сопротивление: 0,76 K/W.Нет274,41
IXA220I650NAIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 650 V. Технология 650V XPT™ IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 335 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц.Нет1 772,82
IXA27IF1200HJIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 43 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,84 mJ. Тепловое сопротивление: 0,84 K/W.Нет364,49
IXA33IF1200HBIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,5 mJ. Тепловое сопротивление: 0,5 K/W.Нет367,83
IXA37IF1200HJIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,64 mJ. Тепловое сопротивление: 0,64 K/W.Нет442,06
IXA40I4000KNIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 4000 V. Технология NPT IGBTs. Рабочий ток (t=25 °C): 80 А. Корпус: PLUS264. Класс переключения: A3 Class, более 5 кГц. Время переключения (при 25°C): 200 нс. Энергия выключения: 125 mJ. Тепловое сопротивление: 0,28 K/W.234 841,80
+1
IXA45IF1200HBIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 78 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,38 mJ. Тепловое сопротивление: 0,38 K/W.Нет437,06
IXA4I1200UCIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 2,7 mJ. Тепловое сопротивление: 2,7 K/W.Нет61,73
IXA4IF1200PZIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-263ABHV. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 2,7 mJ. Тепловое сопротивление: 2,7 K/W.Нет---
IXA4IF1200TCIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 2,7 mJ. Тепловое сопротивление: 2,7 K/W.Нет183,50
IXA4IF1200UCIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 2,7 mJ. Тепловое сопротивление: 2,7 K/W.Нет76,74
IXA55I1200HJIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 84 А. Корпус: ISOPLUS247™. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,43 mJ. Тепловое сопротивление: 0,43 K/W.Нет633,90
IXA60IF1200NAIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 88 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 51 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,43 mJ. Тепловое сопротивление: 0,43 K/W.31 281,14
+1
IXA70I1200NAIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,35 mJ. Тепловое сопротивление: 0,35 K/W.Нет1 080,96
IXA70R1200NAIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 55 А. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Энергия выключения: 0,35 mJ. Тепловое сопротивление: 0,35 K/W.8---
IXBA10N300HVIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 34 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 2010 нс. Энергия выключения: 0,69 mJ. Тепловое сопротивление: 0,69 K/W.Нет---
IXBA14N300HVIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия выключения: 0,62 mJ. Тепловое сопротивление: 0,62 K/W.Нет---
IXBA16N170AHVIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1700 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 16 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 25°C): 150 нс. Энергия выключения: н/д. Тепловое сопротивление: 0,83 K/W.Нет421,63
IXBF10N300CIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 29 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 165 нс. Энергия выключения: 0,52 mJ. Тепловое сопротивление: 0,52 K/W.Нет3 105,25
IXBF14N300IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия выключения: 1,04 mJ. Тепловое сопротивление: 1,04 K/W.Нет---
IXBF15N300CIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 37 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 150 нс. Энергия выключения: 0,42 mJ. Тепловое сопротивление: 0,42 K/W.Нет3 764,18
IXBF20N360IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 3600 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 45 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1100 нс. Энергия выключения: 0,54 mJ. Тепловое сопротивление: 0,54 K/W.Нет2 806,24
IXBF22N300IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1650 нс. Энергия выключения: 0,83 mJ. Тепловое сопротивление: 0,83 K/W.Нет---
IXBF28N300IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 50 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 3280 нс. Энергия выключения: 0,58 mJ. Тепловое сопротивление: 0,58 K/W.Нет---
IXBF32N300IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 40 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 630 нс. Энергия выключения: 0,78 mJ. Тепловое сопротивление: 0,78 K/W.Нет---
IXBF40N160IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1600 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 25°C): 40 нс. Энергия выключения: н/д. Тепловое сопротивление: 0,5 K/W.Нет1 248,61
IXBF42N300IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 60 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 490 нс. Энергия выключения: 0,52 mJ. Тепловое сопротивление: 0,52 K/W.Нет3 105,25
IXBF50N360IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 3600 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 70 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1670 нс. Энергия выключения: 0,43 mJ. Тепловое сопротивление: 0,43 K/W.Нет---
IXBF9N160GIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1600 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 7 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 25°C): 70 нс. Энергия выключения: н/д. Тепловое сопротивление: 1,75 K/W.Нет533,81
IXBH10N170IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1700 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-247AD. Время переключения (при 25°C): 150 нс. Энергия выключения: н/д. Тепловое сопротивление: 0,89 K/W.Нет425,38
IXBH10N300IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 30 А. Корпус: TO-247AD. Время переключения (при 125°C): 1030 нс. Энергия выключения: 0,69 mJ. Тепловое сопротивление: 0,69 K/W.Нет---
IXBH10N300HVIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 34 А. Корпус: TO-247HV. Время переключения (при 125°C): 2010 нс. Энергия выключения: 0,69 mJ. Тепловое сопротивление: 0,69 K/W.Нет3 395,51
IXBH14N300HVIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-247HV. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия выключения: 0,62 mJ. Тепловое сопротивление: 0,62 K/W.Нет---
IXBH16N170AIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1700 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 16 А. Корпус: TO-247AD. Время переключения (при 25°C): 150 нс. Энергия выключения: н/д. Тепловое сопротивление: 0,83 K/W.Нет632,23
IXBH20N360HVIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 3600 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 70 А. Корпус: TO-247HV. Время переключения (при 125°C): 1100 нс. Энергия выключения: 0,29 mJ. Тепловое сопротивление: 0,29 K/W.Нет---
IXBH22N300HVIXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 60 А. Корпус: TO-247HV. Время переключения (при 125°C): 1650 нс. Энергия выключения: 0,43 mJ. Тепловое сопротивление: 0,43 K/W.Нет---
IXBH24N170IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 1700 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 60 А. Корпус: TO-247AD. Время переключения (при 25°C): 960 нс. Энергия выключения: н/д. Тепловое сопротивление: 0,5 K/W.Нет1 109,32
IXBH2N250IXYS CORPORATIONIGBT транзистор; 2500В; 5А; 3.5В; со встроенным диодом; корпус TP-247Нет544,23
IXBH32N300IXYS CORPORATIONIGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 80 А. Корпус: TO-247AD. Время переключения (при 125°C): 630 нс. Энергия выключения: 0,31 mJ. Тепловое сопротивление: 0,31 K/W.853 112,76
+1