НаименованиеПроизводительРазвернуть параметрыКраткое описаниеНаличиештЦена с НДСОтправить
запрос
MDI100-12A3IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,22 K/W. Энергия выключения: 10,5 mJ, ток диода: 150 А (t=25°C), 100 A (t=80°C). Терморезистор.Нет3 189,27
MDI145-12A3IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,18 K/W. Энергия выключения: 15 mJ, ток диода: 150 А (t=25°C), 100 A (t=80°C). Терморезистор.Нет3 531,40
MDI150-12A4IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,17 K/W. Энергия выключения: 11,5 mJ, ток диода: 200 А (t=25°C), 130 A (t=80°C). Терморезистор.Нет5 551,16
MDI200-12A4IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,11 K/W. Энергия выключения: 21 mJ, ток диода: 300 А (t=25°C), 200 A (t=80°C). Терморезистор.Нет6 520,81
MDI300-12A4IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,09 K/W. Энергия выключения: 29 mJ, ток диода: 450 А (t=25°C), 270 A (t=80°C). Терморезистор.Нет7 599,71
MDI550-12A4IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 670 А (t=25°C), 460 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,3 В, тепловое сопротивление: 0,05 K/W. Энергия выключения: 59 mJ, ток диода: 750 А (t=25°C), 460 A (t=80°C). Терморезистор.210 236,82
+1
MDI75-12A3IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,33 K/W. Энергия выключения: 5,6 mJ, ток диода: 100 А (t=25°C), 60 A (t=80°C). Терморезистор.Нет2 715,88
MID100-12A3IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,22 K/W. Энергия выключения: 10,5 mJ, ток диода: 150 А (t=25°C), 100 A (t=80°C). Терморезистор.Нет3 189,27
MID145-12A3IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,18 K/W. Энергия выключения: 15 mJ, ток диода: 150 А (t=25°C), 100 A (t=80°C). Терморезистор.Нет3 531,40
MID150-12A4IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,17 K/W. Энергия выключения: 11,5 mJ, ток диода: 200 А (t=25°C), 130 A (t=80°C). Терморезистор.Нет5 551,16
MID200-12A4IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,11 K/W. Энергия выключения: 21 mJ, ток диода: 300 А (t=25°C), 200 A (t=80°C). Терморезистор.Нет6 520,81
MID300-12A4IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,09 K/W. Энергия выключения: 29 mJ, ток диода: 450 А (t=25°C), 270 A (t=80°C). Терморезистор.Нет7 599,71
MID550-12A4IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 670 А (t=25°C), 460 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,3 В, тепловое сопротивление: 0,05 K/W. Энергия выключения: 59 mJ, ток диода: 750 А (t=25°C), 460 A (t=80°C). Терморезистор.210 236,82
+1
MID75-12A3IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,33 K/W. Энергия выключения: 5,6 mJ, ток диода: 100 А (t=25°C), 60 A (t=80°C). Терморезистор.Нет2 715,88
MIEB100W1200DPFTEHIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,2 K/W. Энергия выключения: 9,7 mJ, ток диода: 135 А (t=25°C), 90 A (t=80°C). Терморезистор.Нет---
MIEB101H1200EHIXYSIGBT-модуль, технология: XPT. Конфигурация: полный мост в корпусе E3-pack. Напряжение: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В. Энергия выключения: 9,7 mJ, ток диода: 90 A (t=80°C).Нет6 625,82
MIEB101W1200DPFEHIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,2 K/W. Энергия выключения: 9,7 mJ, ток диода: 135 А (t=25°C), 90 A (t=80°C).Нет---
MIEB101W1200EHIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,2 K/W. Энергия выключения: 9,7 mJ, ток диода: 135 А (t=25°C), 90 A (t=80°C).39 129,98
+1
MII100-12A3IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,22 K/W. Энергия выключения: 10,5 mJ, ток диода: 150 А (t=25°C), 100 A (t=80°C). Терморезистор.Нет4 204,65
MII145-12A3IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,18 K/W. Энергия выключения: 15 mJ, ток диода: 150 А (t=25°C), 100 A (t=80°C). Терморезистор.Нет4 888,07
MII150-12A4IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,17 K/W. Энергия выключения: 11,5 mJ, ток диода: 200 А (t=25°C), 130 A (t=80°C). Терморезистор.556 849,38
+1
MII200-12A4IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,11 K/W. Энергия выключения: 21 mJ, ток диода: 300 А (t=25°C), 200 A (t=80°C). Терморезистор.Нет8 526,16
MII300-12A4IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,09 K/W. Энергия выключения: 29 mJ, ток диода: 450 А (t=25°C), 270 A (t=80°C). Терморезистор.Нет10 304,56
MII75-12A3IXYSIGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, тепловое сопротивление: 0,33 K/W. Энергия выключения: 5,6 mJ, ток диода: 100 А (t=25°C), 60 A (t=80°C). Терморезистор.Нет3 384,04
MITA150H1700TEHIXYSIGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ), технология: Trench. Конфигурация: полный мост в корпусе E3-pack. Напряжение: 1700 В, 210 А (t=25°C), 145 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2 В. Энергия выключения: 47 mJ, ток диода: 120 A (t=80°C). Терморезистор.Нет---
MIXA100PF650YIIXYSIGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ), технология: XPT + XPT2. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 650 В, 144 А (t=25°C), 107 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,6 В, тепловое сопротивление: 0,4 K/W. Энергия выключения: 3,7 mJ, ток диода: 91 А (t=25°C), 67 A (t=80°C). Терморезистор.Нет---
MIXA100PM650TMIIXYSIGBT-модуль. Конфигурация: многоуровневый в корпусе MiniPack2B. Напряжение: 650 В. Токи транзисторов T1, T2, T3, T4 (см. рисунок): 150 А (t=25°C), 100 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,6 В, тепловое сопротивление: 0,35 K/W. Ток диода: 130 А (t=25°C), 100 A (t=80°C). Терморезистор.Нет---
MIXA100W1200TEHIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 155 А (t=25°C), 108 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,25 K/W. Энергия выключения: 11 mJ, ток диода: 135 А (t=25°C), 90 A (t=80°C). Терморезистор.Нет7 689,47
MIXA10W1200TMLIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E1-pack. Инвертер: 1200 В, 17 А (t=25°C), 12 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 2 K/W. Энергия выключения: 1,1 mJ, ток диода: 19 А (t=25°C), 13 A (t=80°C). Терморезистор.Нет1 529,42
MIXA10WB1200TEDIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе E2-pack. Выпрямитель: 1600 V, 105 A (t=80°C), 1,1 K/W typ. Инвертер: 1200 В, 17 А (t=25°C), 12 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 2 K/W. Чоппер: 1200 В, 12 A (t=80°C), 2 K/W typ. Терморезистор.Нет2 515,17
MIXA10WB1200TMLIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе E1-pack. Выпрямитель: 1600 V, 69 A (t=80°C), 1,8 K/W typ. Инвертер: 1200 В, 17 А (t=25°C), 12 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 2 K/W. Чоппер: 1200 В, 12 A (t=80°C), 2 K/W typ. Терморезистор.51 800,00
+1
MIXA150Q1200VAIXYSIGBT-модуль, технология: XPT. Конфигурация: чоппер в корпусе V1-Pack. Напряжение: 1200 В, 220 А (t=25°C), 150 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,18 K/W. Энергия выключения: 16 mJ, ток диода: 190 А (t=25°C), 130 A (t=80°C). Терморезистор.Нет2 521,52
MIXA150R1200VAIXYSIGBT-модуль, технология: XPT. Конфигурация: чоппер в корпусе V1-Pack. Напряжение: 1200 В, 220 А (t=25°C), 150 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,18 K/W. Энергия выключения: 16 mJ, ток диода: 190 А (t=25°C), 130 A (t=80°C). Терморезистор.Нет2 521,52
MIXA150W1200TEHIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 220 А (t=25°C), 150 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,18 K/W. Энергия выключения: 16 mJ, ток диода: 190 А (t=25°C), 130 A (t=80°C). Терморезистор.Нет10 302,88
MIXA20W1200TMLIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E1-pack. Инвертер: 1200 В, 28 А (t=25°C), 20 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 1,26 K/W. Энергия выключения: 1,7 mJ, ток диода: 33 А (t=25°C), 22 A (t=80°C). Терморезистор.Нет1 838,11
MIXA20WB1200TEDIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе E2-pack. Выпрямитель: 1600 V, 105 A (t=80°C), 1,1 K/W typ. Инвертер: 1200 В, 28 А (t=25°C), 20 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 1,26 K/W. Чоппер: 1200 В, 12 A (t=80°C), 2 K/W typ. Терморезистор.Нет3 144,38
MIXA20WB1200TMIIXYSIGBT-модуль. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе MiniPack2B. Выпрямитель: 1600 V, 105 A (t=80°C), 1,5 K/W typ. Инвертер: 1200 В, 28 А (t=25°C), 20 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 1,26 K/W. Чоппер: 1200 В, 12 A (t=80°C), 2 K/W typ. Терморезистор.Нет---
MIXA20WB1200TMLIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе E1-pack. Выпрямитель: 1600 V, 105 A (t=80°C), 1,1 K/W typ. Инвертер: 1200 В, 28 А (t=25°C), 20 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 1,26 K/W. Чоппер: 1200 В, 12 A (t=80°C), 2 K/W typ. Терморезистор.Нет2 104,86
MIXA225PF1200TSFIXYSIGBT-модуль, технология: XPT IGBT. Конфигурация: полумост в корпусе SimBus F. Напряжение: 1200 В, 250 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,115 K/W. Энергия выключения: 27 mJ, ток диода: 185 A (t=80°C). Сопротивление диода: 0,145 K/W. Терморезистор.Нет6 717,28
MIXA225RF1200TSFIXYSIGBT-модуль, технология: XPT IGBT. Конфигурация: чоппер в корпусе SimBus F. Напряжение: 1200 В, 250 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,115 K/W. Энергия выключения: 27 mJ, ток диода: 185 A (t=80°C). Сопротивление диода: 0,145 K/W. Терморезистор.Нет4 708,53
MIXA300PF1200TLPIXYSIGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ), технология: XPT + XPT2. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 440 А (t=25°C), 310 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,75 В, тепловое сопротивление: 0,09 K/W. Энергия выключения: 32 mJ, ток диода: 340 А (t=25°C), 250 A (t=80°C). Терморезистор.Нет---
MIXA300PF1200TSFIXYSIGBT-модуль, технология: XPT IGBT. Конфигурация: полумост в корпусе SimBus F. Напряжение: 1200 В, 325 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,085 K/W. Энергия выключения: 42 mJ, ток диода: 185 A (t=80°C). Сопротивление диода: 0,145 K/W. Терморезистор.Нет8 133,22
MIXA30W1200TEDIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E2-pack. Инвертер: 1200 В, 43 А (t=25°C), 30 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,84 K/W. Энергия выключения: 3 mJ, ток диода: 44 А (t=25°C), 29 A (t=80°C). Терморезистор.62 764,99
+1
MIXA30W1200TMLIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E1-pack. Инвертер: 1200 В, 43 А (t=25°C), 30 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,84 K/W. Энергия выключения: 3 mJ, ток диода: 44 А (t=25°C), 29 A (t=80°C). Терморезистор.Нет2 239,51
MIXA30WB1200TEDIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе E2-pack. Выпрямитель: 1600 V, 105 A (t=80°C), 1,1 K/W typ. Инвертер: 1200 В, 43 А (t=25°C), 30 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,84 K/W. Чоппер: 1200 В, 12 A (t=80°C), 2 K/W typ. Терморезистор.Нет3 439,94
MIXA30WB1200TMIIXYSIGBT-модуль. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе MiniPack2B. Выпрямитель: 1600 V, 105 A (t=80°C), 1,1 K/W typ. Инвертер: 1200 В, 43 А (t=25°C), 30 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,84 K/W. Чоппер: 1200 В, 20 A (t=80°C), 1,26 K/W typ. Терморезистор.63 157,04
+1
MIXA40W1200TEDIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E2-pack. Инвертер: 1200 В, 60 А (t=25°C), 40 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,64 K/W. Энергия выключения: 4,1 mJ, ток диода: 44 А (t=25°C), 29 A (t=80°C). Терморезистор.Нет3 423,84
MIXA40W1200TMIIXYSIGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ). Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе MiniPack2B. Инвертер: 1200 В, 60 А (t=25°C), 40 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,64 K/W. Энергия выключения: 4,1 mJ, ток диода: 44 А (t=25°C), 29 A (t=80°C). Терморезистор.Нет---
MIXA40W1200TMLIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E1-pack. Инвертер: 1200 В, 60 А (t=25°C), 40 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,64 K/W. Энергия выключения: 4,1 mJ, ток диода: 44 А (t=25°C), 29 A (t=80°C). Терморезистор.Нет2 578,68
MIXA40WB1200TEDIXYSIGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе E2-pack. Выпрямитель: 1600 V, 105 A (t=80°C), 1,1 K/W typ. Инвертер: 1200 В, 50 А (t=25°C), 40 А (t=80°C), напряжение насыщения: 1,8 В, тепловое сопротивление: 0,64 K/W. Чоппер: 1200 В, 20 A (t=80°C), 1,26 K/W typ. Терморезистор.53 795,61
+1